[其他]用反應氣體淀積的材料制作半導體器件的方法及其設備無效

申請號：	85102326	申請日：	1985-04-01
公開（公告）號：	CN85102326B	公開（公告）日：	1988-09-14
發明（設計）人：	西杰森;尤杰;范德普特爾	申請（專利權）人：	菲利浦光燈制造公司
主分類號：	H01L21/205	分類號：	H01L21/205
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	吳秉芬,肖春京
地址：	荷蘭艾***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	用反應氣體淀積的材料制作半導體器件的方法及其設備。依本法，把若干半導體材料基片放在爐管內安置的反應管內加熱，在反應管壁上開有一些孔，反應氣體經這些開孔流過，進行淀積半導體材料。為實現此法，在爐子管道內沿著反應管壁的外側產生一個氣體流，而且只有該氣流的一部分經開孔通入反應器管道。使用此法防止在基片上淀積上在反應氣體內可能形成的尺寸不同、成分不同的微粒。
搜索關鍵詞：	反應氣體材料制作半導體器件方法及其設備
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【主權項】：

1.一種制作半導體器件的方法，在該方法中，一些半導體材料基片被放在一反應管中加熱，該反應管被置于一爐管之中并具有一開有多孔的管壁，用以在基片上沉積一材料層的反應氣體通過所說的開孔進入反應管中，該反應氣體進入開孔的過程是通過在爐管中沿反應管的管壁的外側產生一個空氣流動來完成的，此后，反應后的剩余氣體通過反應管的一個開口端排放出去。其特征在于，反應氣流中只有一部分經反應管管壁上的開孔通入反應管達到基片上，反應氣流的余下部分，即沒有進入反應管的部分直接從爐管和反應管中間的空間排走。

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