[其他]用反應氣體淀積的材料制作半導體器件的方法及其設備

無效

• 申請號: 85102326
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85102326B
• 公開（公告）日: 1988-09-14
• 發明（設計）人: 西杰森;尤杰;范德普特爾
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬,肖春京

1、一種制作半導體器件的方法，在該方法中，一些半導體材料基片被放在一反應管中加熱，該反應管被置于一爐管之中并具有一開有多孔的管壁，用以在基片上沉積一材料層的反應氣體通過所說的開孔進入反應管中，該反應氣體進入開孔的過程是通過在爐管中沿反應管的管壁的外側產生一個空氣流動來完成的，此后，反應后的剩余氣體通過反應管的一個開口端排放出去。

其特征在于，反應氣流中只有一部分經反應管管壁上的開孔通入反應管達到基片上，反應氣流的余下部分，即沒有進入反應管的部分直接從爐管和反應管中間的空間排走。

2、一實現權利要求1中的方法的設備，包括：

一反應管（11），位于爐管（10）的里面，在反應管（11）內一些放于基片載體（23）上的半導體材料基片（1）可借助于一置于爐管（10）外的加熱元件（12）加熱;該反應管（11）具有一帶有開孔（14）的管壁（13），用以讓反應氣體（17）流入反應管;該反應管有一用于排出剩余反應氣體（19）的開口端（18），和一個與開口端（18）相對的，在工作期間對著經爐管（10）通入的反應氣體（15）的方向的封閉端（25），其特征在于，該反應管（11）進一步地具有一托架（21），借助于該托架（21），該反應管（10）支撐在爐管（10）的內壁之上，以致反應管（11）與爐管（10）的內壁基本上是分開的。

3、根據權利要求2所要求的設備，其特征是：反應管（11）是可拆卸地安置在爐管內。

4、根據權利要求3所要求的設備，其特征是：用于容納基片的一個基片載體（23）是可拆卸地安置在反應管（11）之內。

5、根據權利要求4的設備，其特征在于：基片載體（23）具有一封閉底面（22），該底面可面對著反應管（11）的管壁上的開孔（14）放置。

6、根據權利要求5的設備，其特征在于，管壁上的開孔（14）基本上安排在沿反應管（11）的縱方向延伸的一直線上，開孔的大小和位置是這樣安排的，即從反應管（11）的縱方向上看，能把溫度調節到一致，使全部基片上的淀積層的厚度是相等的。

7、根據權利要求2所要求的設備，其特征是：在反應管的內側管壁上開孔的前面，放置一個致密的擋板。

8、根據權利要求7所要求的設備，其特征是：致密的擋板用基片載體的封閉側代替。