[其他]電沉積抗電侵蝕的復合鍍銀層無效
| 申請號： | 85102279 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85102279A | 公開（公告）日： | 1987-07-29 |
| 發明（設計）人： | 郭鶴桐;唐志遠;王兆勇;姚素薇 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C25D3/64 | 分類號： | C25D3/64;C25D15/00 |
| 代理公司： | 天津大學專利代理事務所 | 代理人： | 張宏祥,曲遠方 |
| 地址： | 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | 采用復合電沉積的方法，在銅或其他金屬基體上沉積一層以銀為主，含有占鍍層體積0.1-2％，粒徑為0.5-20微米的氧化鑭微粒。這種復合銀鍍層具有較高的顯微硬度，HV達90-100，比純銀高得多的耐磨性和耐電侵蝕性，電氣性能與純銀相近，用來作電觸點的表面層可以節約50-85％的白銀。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 侵蝕 復合 鍍銀 | ||
【主權項】：
1、一種以銀為基的復合鍍層用于家用電器及小電流低壓電器的電觸點制造，其特征在于在復合鍍銀層中彌散有占鍍層體積0.1-2%的氧化鑭微粒，粒徑在0.5-20微米之間。
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