[其他]電沉積抗電侵蝕的復(fù)合鍍銀層無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85102279 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85102279A | 公開（公告）日： | 1987-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭鶴桐;唐志遠(yuǎn);王兆勇;姚素薇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C25D3/64 | 分類號(hào)： | C25D3/64;C25D15/00 |
| 代理公司： | 天津大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人： | 張宏祥,曲遠(yuǎn)方 |
| 地址： | 天津市*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 沉積 侵蝕 復(fù)合 鍍銀 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種以銀為基的復(fù)合鍍層用于家用電器及小電流低壓電器的電觸點(diǎn)制造，其特征在于在復(fù)合鍍銀層中彌散有占鍍層體積0.1-2%的氧化鑭微粒，粒徑在0.5-20微米之間。
2、按照權(quán)利要求1所述的復(fù)合鍍銀層是在添加有氧化鑭微粒的氰化鍍銀溶液中電沉積，氧化鑭的加入量為0.1-50克/升，粒徑為0.5-20微米。
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