[其他]制備高純度ⅡB-ⅥA族化合物的新方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85101849 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85101849B | 公開（公告）日： | 1986-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃錫珉 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院長春物理研究所 |
| 主分類號： | C01G9/08 | 分類號： | C01G9/08;C01G11/02;C01B19/04 |
| 代理公司： | 中國科學院長春專利事務(wù)所 | 代理人： | 馬守忠 |
| 地址： | 吉林省*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明提供了制備高純度ⅡB-ⅥA族化合物，主要是制備ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的新方法，上述化合物是制備發(fā)光材料和電光器件的重要原料。本發(fā)明采用“套管冷卻式”容器的高頻感應加熱法，改變了迄今為止盛裝反應物的容器和反應物加熱體的形狀。在加熱反應過程中可以用水或冷空氣對盛料的石英安瓿進行冷卻，避免容器對合成的化合物的玷污，反應產(chǎn)物松散地落在容器壁上，容易取出產(chǎn)物，進行分段局部加熱，安瓿內(nèi)部壓力低，可防止由于高壓使安瓿易爆炸的問題，還大大縮短了加熱時間，提高了反應產(chǎn)率，達到快速安全地制備高純度材料。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 純度 化合物 新方法 | ||
【主權(quán)項】：
1.一種用元素直接反應來制備高純度ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的方法，包括：將配好的反應物料裝入石英管內(nèi)，石英管經(jīng)真空密封后，放入高頻感應爐內(nèi)，使其緩慢通過高頻區(qū)加熱，最后將合成產(chǎn)物分離提純，其特征在于：金屬元素Zn或Cd為條狀，S或Se或Te為顆粒狀，Zn或Cd與S或Se或Te的克原子比為1.2:1，容器為“套管冷卻式”，內(nèi)管為石英管，外管為玻璃管，感應加熱區(qū)溫度為500℃-800℃，反應時間為5-15分鐘，采用水或冷空氣進行冷卻。
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