[其他]制備高純度ⅡB-ⅥA族化合物的新方法無效
| 申請號: | 85101849 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85101849B | 公開(公告)日: | 1986-12-03 |
| 發明(設計)人: | 黃錫珉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春物理研究所 |
| 主分類號: | C01G9/08 | 分類號: | C01G9/08;C01G11/02;C01B19/04 |
| 代理公司: | 中國科學院長春專利事務所 | 代理人: | 馬守忠 |
| 地址: | 吉林省*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 純度 化合物 新方法 | ||
【權利要求書】:
1、一種用元素直接反應來制備高純度ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的方法,包括:將配好的反應物料裝入石英管內,石英管經真空密封后,放入高頻感應爐內,使其緩慢通過高頻區加熱,最后將合成產物分離提純,其特征在于:金屬元素Zn或Cd為條狀,S或Se或Te為顆粒狀,Zn或Cd與S或Se或Te的克原子比為1.2∶1,容器為“套管冷卻式”,內管為石英管,外管為玻璃管,感應加熱區溫度為500~800℃,反應時間為5~15分鐘,采用水或冷空氣進行冷卻。
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