[其他]氣載摻雜劑摻雜非晶硅方法無效
| 申請號： | 85100512 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100512A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 吳宗炎;沈月華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明屬于非晶硅的摻雜方法，現有的用于非晶硅摻雜的氣體摻雜劑僅為磷烷、硼烷、砷烷三種，不僅種類少而且毒性極大，純化困難，制備出的材料缺陷態高，本發明提供的一種氣載摻雜劑摻雜非晶硅方法，是用周期表中Ⅲ-Ⅴ族元素的單質或化合物為摻雜劑，以凈化過的氫氣或氦氣或氬氣為載體流過經加熱汽化摻雜劑與SiH4混合，在反應室內反應而生成摻雜非晶硅，具有毒性小，摻雜材料缺陷態密度低，光電導增加等優點。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 非晶硅 方法 | ||
【主權項】：
1、一種摻雜非晶硅方法，包括摻雜劑與硅烷混合，在反應室內高頻輝光放電或CVD濺射或蒸發等過程，其特征在于用周期表中Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ族元素的單質或化合物為摻雜劑，放在石英瓶中加熱到汽化溫度，用凈化過氣體為載體與SiH4反應而生成摻雜非晶硅。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
