[其他]氣載摻雜劑摻雜非晶硅方法無效
| 申請號： | 85100512 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100512A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 吳宗炎;沈月華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 非晶硅 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種摻雜非晶硅方法，包括摻雜劑與硅烷混合，在反應室內高頻輝光放電或CVD濺射或蒸發等過程，其特征在于用周期表中Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ族元素的單質或化合物為摻雜劑，放在石英瓶中加熱到汽化溫度，用凈化過氣體為載體與SiH4反應而生成摻雜非晶硅。
2、按權利要求1所述的方法，其特征在于作為摻雜劑元素的單質或化合物是P.Sb.In.Ca.B.As.C等元素的單質或化合物。
3、按權利要求1所述的方法，其特征在于載體為凈化過的氫氣、氬氣、氦氣等。
4、按權利要求1或3所述的方法，其特征在于載體最好為凈化過的氫氣。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所，未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/85100512/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：除塵裝置
- 下一篇：光譜選擇性吸收黑鋁涂層及制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
