[其他]用工業純原料氣進行等離子化學氣相沉積的涂層方法與設備無效

申請號：	85100378	申請日：	1985-04-01
公開（公告）號：	CN85100378A	公開（公告）日：	1986-08-27
發明（設計）人：	劉天相;于錫裘;何建國	申請（專利權）人：	湖南省機械研究所
主分類號：	C23C16/30	分類號：	C23C16/30;C23C16/50
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	湖南省長***	國省代碼：	湖南;43
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摘要：	本發明屬于金屬表面處理中制備金屬化合物涂層的方法和設備。工業純原料氣PCVD涂層方法與設備，采用專門設計制造的包括原料氣處理系統、金屬鹵化物或其它液體汽化的裝置以及離子轟擊爐等幾部分組成的等離子化學氣相沉積設備，使用工業純原料氣，在低溫、低真空、電壓低于1000V、工件不旋轉、廢氣排放符合中國國家標準的情況下制備金屬化合物涂層，代替傳統的涂層技術。
搜索關鍵詞：	用工原料進行等離子化學沉積涂層方法設備
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【主權項】：

1、一種輝光放電作用下進行化學氣相沉積制備金屬化合物涂層的方法，其特征在于將工業純原料氣通入一種等離子化學氣相沉積設備，與至少一種金屬鹵化物蒸汽一道輸進設備的離子轟擊爐，在溫度400～650℃、真空度10～10-2mmHg、電壓400～1000V以及工件不旋轉的條件下進行等離子化學氣相沉積(PCVD)，在工件表面獲得金屬化合物涂層的方法。

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