[其他]平面磁控濺射靶及其鍍膜方法無效
| 申請號： | 85100096 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100096B | 公開（公告）日： | 1988-12-07 |
| 發明（設計）人： | 范玉殿 | 申請（專利權）人： | 清華大學;北京儀器廠 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 張善余 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一種平面磁控濺射靶裝置，至少包含有兩個電磁鐵，靶板由多塊異種材料拼砌而成。通過調節各個電磁鐵的勵磁電流的相對比值，使靶板內表面跑道磁場的各個區段的磁場強度的相對比值發生變化，從而實現所鍍制的合金膜成份在一定范圍內的連續調節。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 平面 磁控濺射 及其 鍍膜 方法 | ||
【主權項】：
1.一種磁控濺射靶裝置，其特征在于：由至少兩種不同的材料構成靶板并至少配置兩個在靶板內表面產生跑道磁場的電磁鐵，所說的各電磁鐵共用一個靶心磁極N，其S磁極順序排列于靶心磁極N的外緣并構成封閉環狀，并且各S磁極之間設置有磁隔離槽或非鐵磁材料制成的隔離塊。
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