[其他]半導體元件在審
| 申請號： | 101987000006746 | 申請日： | 1987-10-01 |
| 公開（公告）號： | CN1004735B | 公開（公告）日： | 1989-07-05 |
| 發明（設計）人： | C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格呂寧;揚·福博利爾 | 申請（專利權）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌;杜有文 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 對一種在半導體襯底中具有各種不同摻雜層（２，３，４，５）的半導體元件進行了電氣性能方面的改進，方法是用深腐蝕坑（１０）局部減少載流區襯底的厚度，同時基本上保持半導體襯底原有的機械穩定性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
【主權項】：
暫無信息
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