[其他]半導(dǎo)體元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101987000006746
• 申請(qǐng)日: 1987-10-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1004735B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格呂寧;揚(yáng)·福博利爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌;杜有文

1、一種半導(dǎo)體器件，其特征在于它包括：

第一厚度的一層大面積半導(dǎo)體襯底：

在所說(shuō)襯底里，有一組不同摻雜的層配置在一陽(yáng)極和一陰極之間，各層具有一個(gè)可由柵極斷開(kāi)的閘流晶體管的層次排列特性;

在所說(shuō)陰極的一側(cè)，一種階梯形柵-陰結(jié)構(gòu)，因而多個(gè)陰極指從一凹槽式柵平面突出并被該凹槽式柵平面分開(kāi)，從而形成一控制結(jié)構(gòu);

所說(shuō)半導(dǎo)體襯底的所說(shuō)第一厚度被至少一個(gè)伸入所說(shuō)陽(yáng)極側(cè)的所說(shuō)半導(dǎo)體襯底的深腐蝕井所降低;

所說(shuō)腐蝕井配置在所說(shuō)控制結(jié)構(gòu)的對(duì)面，并降低包含多個(gè)所說(shuō)陰極指的所說(shuō)半導(dǎo)體某一區(qū)域上的所說(shuō)厚度;

所說(shuō)半導(dǎo)體襯底以所說(shuō)陽(yáng)極側(cè)釬焊到一金屬襯底上;以及

所說(shuō)腐蝕井要完全被焊料填充。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于：

一p摻雜陽(yáng)極層和一在其上的弱n摻雜基層被配置在所說(shuō)陽(yáng)極側(cè)的所說(shuō)半導(dǎo)體襯底中;以及

所說(shuō)半導(dǎo)體襯底的所說(shuō)厚度的降低與所說(shuō)基層厚度的降低有關(guān)。

3、根據(jù)權(quán)利要求2的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于其中的一強(qiáng)n摻雜阻擋層設(shè)置在所說(shuō)陽(yáng)極層和所說(shuō)基層之間。

4、根據(jù)權(quán)利要求2的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于所說(shuō)基層的所說(shuō)厚度降低使所說(shuō)基層的厚度小于200微米。

5、根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于：

所說(shuō)控制結(jié)構(gòu)被細(xì)分成多個(gè)分離的控制區(qū)，從而每一所說(shuō)控制區(qū)包括多個(gè)所說(shuō)陰極，以及

在所說(shuō)控制區(qū)的對(duì)面，為每一所說(shuō)控制區(qū)設(shè)置一面積大約相等的分離腐蝕井。