[其他]非晶硅光位置敏感器件在審
| 申請號： | 101987000005565 | 申請日： | 1987-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN1003901B | 公開（公告）日： | 1989-04-12 |
| 發明（設計）人： | 蘇子敏;彭少麒 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中山大學專利事務所 | 代理人： | 葉賢京;蔡茂略 |
| 地址： | 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明屬半導體非晶硅光位置敏感器件。它是利用非晶硅材料的單質結或異質結的橫向光生伏特效應制成的可測量光點位置信息的新型器件。由于本光位置敏感器件制造工藝簡單，輸出光敏信號較大，對位置控制、目標跟蹤及計算機方面的應用具有廣闊的前景。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅光 位置 敏感 器件 | ||
【主權項】：
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