[其他]非晶硅光位置敏感器件在審
| 申請號： | 101987000005565 | 申請日： | 1987-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN1003901B | 公開（公告）日： | 1989-04-12 |
| 發明（設計）人： | 蘇子敏;彭少麒 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中山大學專利事務所 | 代理人： | 葉賢京;蔡茂略 |
| 地址： | 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅光 位置 敏感 器件 | ||
【權利要求書】：
1、一種由半導體芯片和配置在所說的半導體芯片光敏表面上四個邊側的四個電極構成的光位置敏感器件，所說的四個電極由鋁、金、鉻等金屬材料制成，且兩兩相對而組成相互垂直的兩組，其特征在于，所說的半導體芯片是一種由P型單晶硅基片和淀積于該基片之上的本征氫化非晶硅構成的異質結i-a-Si∶H/P-C-Si。
2、根據權利要求1所述的光位置敏感器件，其特征在于，所說的半導體芯片是一種由制備在玻璃平片上的重摻雜P型非晶硅層和淀積于重摻雜層之上的本征氫化非晶硅層構成的單質結i-a-SiH∶/N+-a-Si∶H。
3、根據權利要求1所述的光位置敏感器件其特征在于，所說的半導體芯片是一種由制備在玻璃平片上的重摻雜N型非晶硅層和淀積于重摻雜層之上的本征氫化非晶硅層構成的單質結i-a-Si∶H/P+-a-Si∶H。
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