[其他]整個(gè)半導(dǎo)體層無電氣缺陷的半導(dǎo)體器件及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101986000006409 | 申請(qǐng)日： | 1986-11-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1003481B | 公開（公告）日： | 1989-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真人;永山進(jìn);小柳薰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京;蕭掬昌 |
| 地址： | 日本國(guó)神奈*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明介紹了一種沒有因針孔或其它縫隙等缺陷引起的漏泄電流的經(jīng)過改進(jìn)的半導(dǎo)體器件，還介紹了一種加工半導(dǎo)體器件的經(jīng)過改良的方法。按照本發(fā)明，在制造半導(dǎo)體層過程中所產(chǎn)生的縫隙在用淀積法制造電極之前用絕緣體進(jìn)行充填。借助這種結(jié)構(gòu)，即使在半導(dǎo)體層上有透明電極，也不會(huì)形成短路電流路徑。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 整個(gè) 半導(dǎo)體 電氣 缺陷 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
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