[其他]整個半導體層無電氣缺陷的半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 101986000006409
• 申請日: 1986-11-06
• 公開（公告）號: CN1003481B
• 公開（公告）日: 1989-03-01
• 發明（設計）人: 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真人;永山進;小柳薰
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京;蕭掬昌

1、一種半導體器件，其特征在于，該器件包括：

一層半導體層;

一對電極，其間放置所說半導體層;

一種光可固化的樹脂，用以治愈在所說半導體層的制造期間無意在其中產生的縫隙。

2、根據權利要求1的器件，其特征在于，其中所說光可固化的樹脂是一正性光致蝕劑。

3、根據權利要求1的器件，其特征在于，其中所說光可固化的樹脂是一負性光致蝕劑。

4、根據權利要求1的器件，其特征在于所說半導體層的層中含有-pin結的多層結構。

5、根據權利要求1的器件，其特征在于，其中所說縫隙是一針孔。

6、根據權利要求1的半導體，其特征在于，其中所說的電極由ITO、In₂O₃、SnO₂或ITN制成。

7、權利要求6的半導體器件，其特征在于，其中所說的電極敷有一層金屬層。

8、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，其中所說的金屬層由鋁、鉻或銀制成。

9、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的器件是一種光電器件。

10、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的器件是一種光發射器件。

11、權利要求10的半導體器件，其特征在于，所說的器件具有超點陣結構。

12、一種生產半導體器件的方法，其特征在于該方法包括下列工序：備制半導體層;

用一光可固化樹脂涂敷整個半導體層并用以填塞該半導體層的縫隙;

為了使所說縫隙中的所說層部分不溶但其余部分可溶，用一個光輻射所說半導體層;

用一溶劑除去所說半導體層的可溶部分;以及

在所說半導體層上形成另一層。

13、根據權利要求12的方法，其特征在于，其中所說的另一層是準備做電極的導電層。

14、根據權利要求12的方法，其特征在于，其中所說光可固化樹脂是一種正性光致抗蝕劑。

15、根據權利要求14的方法，其特征在于，其中所說光是從所說正性光致抗蝕劑一側照射的紫外光。

16、根據權利要求12的方法，其特征在于，其中所說光可固化樹脂是一種負性光致抗蝕劑。

17、根據權利要求16的方法，其特征在于，其中所說光是從所說半導體層一側照射的紫外光。