[其他]導電率調制型MOS場效應管的過電流保護電路在審
| 申請號： | 101986000003419 | 申請日： | 1986-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN1004184B | 公開（公告）日： | 1989-05-10 |
| 發明（設計）人： | 岡土千尋;山口好広;中川明夫 | 申請（專利權）人： | 東芝株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 楊國勝 |
| 地址： | 日本神奈川縣*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 雙極性場效應管（ＢＩＦＥＴ）的過電流保護電路具有探測ＢＩＦＥＴ的漏極和源極之間電壓的電壓探測電路和一種主開關電路用來降低ＢＩＦＥＴ的柵極和源極之間電壓以及根據電壓探測電路的輸出來防止ＢＩＦＥＴ的導通事故或導通延遲。接收到接通柵極信號后，ＢＩＦＥＴ初始導通期間，在主開關電路變成導通時刻之前有一個延遲時間常數。在本發明中，這樣一種情形可以防止，在ＢＩＦＥＴ初始導通期間過電流保護電路起作用使ＢＩＦＥＴ不導通或經過一些延遲以后才導通。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 導電 調制 mos 場效應 電流 保護 電路 | ||
【主權項】：
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