[其他]導電率調制型MOS場效應管的過電流保護電路

在審

• 申請號: 101986000003419
• 申請日: 1986-05-14
• 公開（公告）號: CN1004184B
• 公開（公告）日: 1989-05-10
• 發明（設計）人: 岡土千尋;山口好広;中川明夫
• 申請（專利權）人: 東芝株式會社
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 楊國勝

1、一種過電流保護電路，包括具有源極、漏極及與產生柵極信號電路的輸出端相連的柵極的BIFET;

探測上述BIFET的漏極和源極之間的電壓的第一電壓探測裝置;及

根據上述電壓探測裝置的輸出瞬時地降低上述BIFET的柵極和源極之間的電壓并防止上述BIFET的導通事故及導通延遲的主開關裝置;

其特征在于上述主開關裝置包括：

具有陽極、陰極及柵極，且上述陽極與上述BIFET的柵極相連的半導體閘流管;

與上述半導體閘流管的柵極相連的第一齊納二極管;

具有與上述半導體閘流管的陰極相連的漏極，與上述BIFET的源極相連的源極，及柵極的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）;

連接在上述第一MOSFET的柵極與上述產生柵極信號電路的輸出端之間的第一電阻裝置，上述第一MOSFET具有柵極電容，該電容與第一電阻裝置相結合導致上述第一MOSFET的導通延遲直到上述產生柵極信號電路的上述輸出端加有導通信號使上述BIFET導通之后為止。

2、據權利要求1所述的過電流保護電路，其特征還包括：降低上述BIFET的源極和柵極之間的電壓和防止上述BIFET的導通事故或導通延遲的一個次開關裝置和為探測上述BIFET的漏極和源極之間電壓的一個第二電壓探測裝置。

3、根據權利要求2所述的過電流保護電路，其特征在于所述次開關裝置包括：一個雙極型晶體管，它的集電極連接到上述BIFET的柵極上;一個第二齊納二極管連接在上述雙極型晶體管的基極和上述電壓探測裝置的輸出端之間;一個第二MOS場效應管，它的漏極連接到上述雙極型晶體管的發射極上，而它的源極連接到上述BIFET的源極上;和一個第二電阻裝置，它連接到上述第二MOS場效應管的柵極及柵極電容上。

4、根據權利要求3所述的過電流保護電路，其特征還包括連接在上述第二MOS場效應管的漏極和源極之間、用以防止過電壓的一個第三齊納二極管。

5、根據權利要求3所述的過電流保護電路，其特征在于上述第二電阻裝置包括：連接在產生柵極信號電路的輸出端和上述第二MOSFET的柵極之間的一個第一電阻。

6、根據權利要求1所述的過電流保護電路，其特征還包括連接在上述第一MOS場效應管的漏極和源極之間為防止過電壓的一個第二齊納二極管。

7、根據權利要求1所述的過電流保護電路，其特征在于所述的第一電阻裝置包括：連接在產生柵極信號電路的輸出端和上述第一MOS場效應管的柵極之間的一個電阻。

8、根據權利要求1所述的過電流保護電路，其特征還包括連接在上述BIFET的柵極和上述半導體閘流管的陽極之間的光電耦合器。

9、根據權利要求1所述的過電流保護電路，其特征在于第一電阻裝置和上述第一MOSFET的柵極電容的時間常數選擇得使在導通柵極信號沒有施加到上述BIFET的柵極期間和在加上導通柵極信號之后及上述BIFET的漏極和源極之間電壓與它的柵極上加有導通柵極信號之前的電壓相比至少降低百分之十之前的初始導通期間，保持上述第一MOS場效應管處在截止狀態。

10、一種過電流保護電路，包括具有源極、漏極及與產生柵極信號電路的輸出端相連的柵極的BIFET;

探測上述BIFET的漏極和源極之間的電壓的第一電壓探測裝置;及

根據上述電壓探測裝置的輸出瞬時地降低上述BIFET的柵極和源極之間的電壓并防止上述BIFET的導通事故及導通延遲的主開關裝置;