[其他]利用氟化氣體混合物進行硅的等離子體蝕刻在審
| 申請號： | 101986000003233 | 申請日： | 1986-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN1005882B | 公開（公告）日： | 1989-11-22 |
| 發明（設計）人： | 曾志華 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 魏金璽;盧新華 |
| 地址： | 美國.加利福尼亞州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： |
利用氟化氣體混合物進行等離子體蝕刻硅的一個方法。在蝕刻室里，利用ＣＨＦ |
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| 搜索關鍵詞： | 利用 氟化 氣體 混合物 進行 等離子體 蝕刻 | ||
【主權項】：
暫無信息
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