[其他]利用氟化氣體混合物進行硅的等離子體蝕刻在審
| 申請號： | 101986000003233 | 申請日： | 1986-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN1005882B | 公開（公告）日： | 1989-11-22 |
| 發明（設計）人： | 曾志華 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 魏金璽;盧新華 |
| 地址： | 美國.加利福尼亞州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 氟化 氣體 混合物 進行 等離子體 蝕刻 | ||
【權利要求書】：
1、用氣體混合物形成的等離子體刻蝕硅半導體材料的方法的改進，這種改進包括：
由含有CHF3和SF6的二組份混合物形成等離子體，CHF2的含量大于SF6的含量，
從而實現定向刻蝕。
2、按權利要求1的改進，其中CHF3含量大約為SF6含量的4倍。
3、按權利要求1的改進，其中等離子體是在射頻能量約600瓦時形成的。
4、對硅半導體材料等離子體刻蝕的改進方法，此方法包括：
在上述硅表面形成一層光刻膠;
在光刻膠上確定窗口以暴露出硅表面預先確定的區域;
把SF6和CHF3氣體混合物引向硅片;
把電能施加到氣體混合物上以形成等離子體;
用上述等離子體刻蝕硅到所要求的深度;
從而上述硅片便被定向刻蝕。
5、按權利要求4的方法，其中氣體混合物約含有80%CHF3和20%SF6。
6、按權利要求4的方法，其中電能約有600瓦。
7、按權利要求4的方法，其中氣體混合物以約125SCCm速率引向硅片。
8、按權利要求4的方法，其中定向度依賴于氣體混合物中CHF3的百分比。
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