[其他]半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 101986000002691 | 申請日： | 1986-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN1004456B | 公開（公告）日： | 1989-06-07 |
| 發明（設計）人： | 田端輝夫 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明涉及一種半導體器件及其制造方法。其中，雙隔離擴散區的下擴散層加在襯底表面上，在該下擴散層上形成外延層，該層主要朝上向外擴散入外延層，同時從外延層表面深擴散一元件擴散區，然后淺擴散雙隔離擴散區的上擴散層。由此抑制上擴散層的橫向延伸，改善集成度。本發明器件中雙隔離擴散區、集電區、基區及發射區都形成在外延層寬度內。該器件的基區寬度起伏減少，過渡頻率ｆＴ和電流增益ｈＦＥ得到提高。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
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