[其他]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 101986000002691
• 申請日: 1986-04-19
• 公開（公告）號: CN1004456B
• 公開（公告）日: 1989-06-07
• 發明（設計）人: 田端輝夫
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 王以平

1、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：

在另一種導電類型的半導體襯底表面的一個區域（此處將要制做一個元件）上形成一種導電類型埋層，以及在所述埋層上形成另一種導電類型的集電區埋層，同時在所述埋層周圍的區域上形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程：

在所述襯底表面形成一種導電類型的外延層，并在形成所述外延層的同時加熱擴散所述埋層、集電區埋層和下擴散層的工藝過程;

從所述外延層的表面注入另一種導電類型的雜質離子以形成集電區的工藝過程;

加熱所述襯底，再向所述外延層中擴散所述埋層，下擴散層和集電極埋層以使下擴散層的厚度大于所述外延層厚度的一半，并在所述加熱過程中從外延層的表面擴散所述集電區以使其延伸到所述集電極埋層的工藝過程;

把一種導電類型的雜質離子注入所述集電區的表面，然后進行擴散形成基區的工藝過程;

從上述外延層的表面擴散另一種導電類型的雙隔離擴散區的上擴散層和另一種導電類型的集電極引線區，使之分別延伸到所述下擴散層和所述集電區埋層，并使所述上擴散層在所述外延層表面上占據的區域小于在所述半導體襯底上占據的區域的工藝過程;以及

在所述基區表面上擴散另一種導電類型的雜質以形成一個發射區的工藝過程。

所述擴散得到的上擴散層的厚度小于所述外延層厚度的一半。

2、如權利要求1所述的制造半導體集成電路的一種方法，其中，所述集電極引線區和所述上擴散層同時擴散形成。

3、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：

在另一種導電類型的半導體襯底表面的第一區域和第二區域（在這些區域將要制做晶體管）上形成一種導電類型的埋層，以及在第一區域中的埋層上形成另一種導電類型的集電區埋層，同時又在所述埋層周圍的一個區域上形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程;

在所述襯底的表面形成一種導電類型的外延層，并在形成所述外延層的同時加熱擴散所述埋層、集電區埋層和下擴散層的工藝過程;

從所述外延層的表面向所述第一區域注入另一種導電類型雜質離子，以在與集電區埋層相對應的地方形成集電區的工藝過程;

加熱所述襯底，再向所述外延層中擴散所述埋層、下擴層和集電區埋層，以使下擴散層的厚度大于所述外延層厚度的一半，并在所述加熱過程中從外延層的表面擴散所述集電區使之延伸到所述集電區埋層的工藝過程;

把一種導電類型的雜質離子從表面注入所述第一區域中的所述集電區和第二區域，然后進行擴散以形成第一晶體管的基區和第二晶體管的集電區的工藝過程;

從所述外延層表面擴散形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的上擴散層和另一種導電類型的集電極引線區，使之分別延伸到所述下擴散層和所述集電區埋層，并使所述上擴散層在所述外延層表面上占據的區域小于在所述半導體襯底上占據的區域的工藝過程;

在所述第一區域的基區表面及第二區域的表面上擴散另一種導電類型的雜質，以分別形成第一晶體管的發射區和第二晶體管的基區的工藝過程;以及

在所述第二區域的所述基區的表面上形成第二晶體管的發射區的工藝過程;

所述上擴散層的厚度小于所述外延層厚度的一半。

4、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：