[其他]減少雙極器件的管道漏電和表面漏電的方法在審
| 申請號： | 101986000002476 | 申請日： | 1986-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN86102476B | 公開（公告）日： | 1988-03-23 |
| 發明（設計）人： | 潘姬;趙洪林;殷淑華 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 天津大學專利代理事務所 | 代理人： | 劉志剛;王國欣 |
| 地址： | 天津市南*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明提供一種簡便易行的減少半導體器件的管道漏電流和表面漏電流的方法。本發明所提供的方法利用離子注入吸雜技術，在半導體基區表面附近的局部區域內和發射區表面附近的局部區域內形成遠離ｅｂ結的吸雜缺陷。采用本發明所提供的方法不僅能有效地減少管道漏電和表面漏電，改善器件的性能，提高成品率，而且工藝簡便，有利于降低成本。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 減少 器件 管道 漏電 表面 方法 | ||
【主權項】：
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