[其他]減少雙極器件的管道漏電和表面漏電的方法在審

申請號：	101986000002476	申請日：	1986-04-10
公開（公告）號：	CN86102476B	公開（公告）日：	1988-03-23
發明（設計）人：	潘姬;趙洪林;殷淑華	申請（專利權）人：	天津大學
主分類號：		分類號：
代理公司：	天津大學專利代理事務所	代理人：	劉志剛;王國欣
地址：	天津市南***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	減少器件管道漏電表面方法
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【權利要求書】：

1、一種先形成半導體器件的基區，然后利用高能離子透過基區表面熱氧化形成的SiO₂層，在基區表面附近的基區接觸的局部區域內和隨后要形成發射區的局部區域內形成吸雜缺陷，隨后形成所說發射區的利用離子注入吸雜技術減少管道漏電流和表面漏電流的制造半導體器件的方法，其特征在于進行離子注入形成吸雜缺陷〔9〕之前，在基區擴散中形成的SiO₂層〔5〕上刻出保留一薄層所說SiO₂層〔5〕的面積小于發射區〔11〕的小基區窗口〔7〕，其余部分保留光刻膠〔6〕。

2、根據權利要求1，其特征在于所說半導體器件是主要由發射區〔11〕，基區〔3〕和外延層（即收集區）〔2〕構成的雙極型器件。

3、根據權利要求1，其特征在于所說高能離子是氬離子。

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