[其他]重摻銻硅單晶的制造方法在審
| 申請號： | 101986000000854 | 申請日： | 1986-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN86100854B | 公開（公告）日： | 1988-08-31 |
| 發明（設計）人： | 闕端麟;李立本;陳修治 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種以純氮作為保護氣氛的重摻銻硅單晶的制造方法，其特征在于熔硅、摻銻、拉晶過程中所采用的氮氣保護氣氛為減壓－－常壓－－減壓的保護氣氛。采用這種方法制造的重摻銻硅單晶的制造成本比充氬保護制造重摻銻硅單晶的方法可降低成本１５－２０％，提高成品率１０％以上，產品質量穩定。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 重摻銻硅單晶 制造 方法 | ||
【主權項】：
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