[其他]重?fù)戒R硅單晶的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101986000000854 | 申請日： | 1986-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN86100854B | 公開（公告）日： | 1988-08-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 闕端麟;李立本;陳修治 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 浙江大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種以純氮作為保護(hù)氣氛的重?fù)戒R硅單晶的制造方法，其特征在于熔硅、摻銻、拉晶過程中所采用的氮氣保護(hù)氣氛為減壓－－常壓－－減壓的保護(hù)氣氛。采用這種方法制造的重?fù)戒R硅單晶的制造成本比充氬保護(hù)制造重?fù)戒R硅單晶的方法可降低成本１５－２０％，提高成品率１０％以上，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 重?fù)戒R硅單晶 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
暫無信息
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