[其他]高跨導高厄利(Early)電壓模似(MOS)晶體管在審
| 申請號： | 101986000000192 | 申請日： | 1986-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN1005884B | 公開（公告）日： | 1989-11-22 |
| 發明（設計）人： | 馬龍;錢其璈 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 南開大學專利事務所 | 代理人： | 耿錫錕 |
| 地址： | 天津市南開區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 高跨導高Ｅａｒｌｙ電壓的Ｍｏｓ晶體管－－ＨＧＥＴ，屬于一族新型半導體集成器件。它能在常規的ＭＯＳ工藝下制造出跨導為２０～４０ｍＶ，Ｅａｒｌｙ電壓為４０～５０Ｖ的器件。這種器件放大器的電壓增益可達５７ｄｂ，它的等效電路是由兩個ＭＯＳ管和一個雙極型晶體管復合構成，它的工藝簡單，又能比普通的ＭＯＳ器件的芯片面積小β倍，用于模擬電路中即能獲得高增益，又因互補作用，能靈活滿足不同電路的設計要求。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 高跨導高厄利 early 電壓 mos 晶體管 | ||
【主權項】：
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