[其他]高跨導高厄利(Early)電壓模似(MOS)晶體管

在審

• 申請號: 101986000000192
• 申請日: 1986-01-12
• 公開（公告）號: CN1005884B
• 公開（公告）日: 1989-11-22
• 發明（設計）人: 馬龍;錢其璈
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 代理公司: 南開大學專利事務所
• 代理人: 耿錫錕

1、一種由一個MOS晶體管和一個雙極型晶體管（圖1、A）或者由兩個MOS晶體管（圖1、B）構成的半導體集成器件，其特征在于增加了一個MOS晶體管或一個雙極型晶體管，一共由三支管子（二只MOS晶體管，一只雙極型晶體管）復合構成甲乙兩類（因為晶體管有兩種類型，一類有兩種等效復合方式）一共四種復合方式。

甲類復合方式：MOS晶體管M₁的源極和三級管Q的基極連接，MOS晶體管M₂的柵極和晶體管Q的發射極連接，M₁的漏極、Q的集電極和M₂的源極連接，M₁、M₂是NMOS晶體管時，Q是NPN型晶體管，這是一種方式（圖2、A），M₁M₂是PMOS晶體管時，Q是PNP型晶體管，構成另一種復合方式（圖2、B）。

乙類復合方式：M₁的源極、M₂的柵極和Q的集電極連接，M₁的漏極和Q的基極連接，M₂的源級和Q的發射極連接，當M₁、M₂是NMOS時，Q是PNP管構成一種復合方式（圖3、A），當M₁、M₂是PMOS時，Q是NPN管，這是另一種復合方式（圖3、B）。

2、按照權利要求1所說的甲類復合方式，當M₁、M₂是NMOS管，Q是NPN管時的版圖的結構特征是在N型襯底上制作P₁阱和P₂阱，在P₁阱內作N₁⁺和N₂⁺兩個區，由N₁⁺區引出S極，由N₂⁺的一側到P阱與P₂阱之間的N₂⁺的一側上面制作G₁，P₁阱和N₂區在K處短接，作N₃⁺位于P₁阱和P₂阱之間且不留間隙，在P₂阱內作N₄⁺區，在N₄⁺區與N₈⁺區之間的P₂阱上作G₂并與S相連結，P₂阱與N型襯底在F處短接。

3、按照權利要求1所說的甲類復合方式，當M₁、M₂是PMOS時，Q是PNP管時的版圖結構特征是，在P型襯底上，制作N₁阱和N₂阱，在N₁阱內作P₁⁺和P₂⁺兩個區，由P₁⁺區引出S極，由P₂⁺的一側到N₁阱與N₂阱之間的P₃⁺的一側上面制作G₁，N₁阱和P₂⁺區在K處短接，作P⁺⁸位于N₁阱和N₂阱之間且不留間隙，在N₂阱內作P₄⁺區，在P₄⁺區與P₂⁺區之間的N₂阱上作G₂并與S相連接，N₂阱與P型襯底在F處短接。

4、根據權利要求1中的甲類和乙類復合形式所說，其特征是M₂是耗盡型MOS晶體管。