[其他]制造半導體器件的方法在審
| 申請號: |
101985000009507
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申請日: |
1985-12-04 |
| 公開(公告)號: |
CN1005802B |
公開(公告)日: |
1989-11-15 |
| 發明(設計)人: |
矢元久良;鈴木秀雄 |
申請(專利權)人: |
索尼公司 |
| 主分類號: |
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分類號: |
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| 代理公司: |
中國專利代理有限公司 |
代理人: |
肖**昌;肖春京 |
| 地址: |
日本國東京都品*** |
國省代碼: |
暫無信息 |
| 權利要求書: |
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說明書: |
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| 摘要: |
該發明涉及用高阻值的電阻器制造半導體器件的方法。在本發明中,首先形成第一層多晶硅層,它與在半導體襯底中形成的電接觸部分接觸。其次,在第一層多晶硅層上面形成第二層含氧多晶硅層。然后退火,以消除在兩層多晶硅層之間形成的氧化物。
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| 搜索關鍵詞: |
制造
半導體器件
方法
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【主權項】:
暫無信息
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