[其他]制造半導體器件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000009507 | 申請日： | 1985-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN1005802B | 公開（公告）日： | 1989-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 矢元久良;鈴木秀雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖**昌;肖春京 |
| 地址： | 日本國東京都品*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 半導體器件 方法 | ||
1、一種形成有含氧多晶硅層的半導體器件的制造方法，其特征包括下列步驟：至少在一半導體襯底中所形成的電氣連接部分之上形成一層第一多晶硅層;在所說第一多晶硅層上形成一層含氧的第二多晶硅層;將其上形成有所說第一和第二多晶硅層的所說半導體襯底退火，以生長硅的晶粒。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于上述電接觸部分是在該半導體襯底中形成的雜質(zhì)擴散區(qū)。
3、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于在該半導體襯底內(nèi)同一區(qū)域形成所述第一和第二層多晶硅層。
4、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于僅在上述電接觸部分附近形成所述第一層多晶硅層。
5、根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于第一層多晶硅層的厚度為1000到2000埃。
6、根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其特征在于上述第二層多晶硅層含有原子濃度百分比為2-10%的氧。
7、根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征在于退火步驟是在氮氣之中，在900到1000℃下，用20到60分鐘完成的。
8、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于上述第一層多晶硅層厚度為50到200埃，而第二層多晶硅層厚度為1500到4000埃。
9、根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于第二層多晶硅層含有原子濃度百分比為2-10%的氧。
10、根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于退火步驟是在氮氣之中，在900到1000℃下，用20到60分鐘完成的。
11、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于退火步驟是在氮氣之中，在900到1000℃下，用20到60分鐘完成的。
12、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于第一和第二層多晶硅層充當靜態(tài)存儲器的電阻器。
13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于所述電接觸部分是該靜態(tài)存儲器的一個場效應(yīng)管的漏極區(qū)。
14、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于第二層多晶硅層含有原子濃度百分比為2-10%的氧。
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