[其他]帶動態控制的電荷耦合半導體器件在審
| 申請號： | 101985000004640 | 申請日： | 1985-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN1003335B | 公開（公告）日： | 1989-02-15 |
| 發明（設計）人： | 肖春京 | 申請（專利權）人： | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 利用電極（２１、２２、３１、３２……）在鐘信號和基準信號之間單獨切換的方法，在ＣＣＤ，尤其在圖象敏感器件中，信息密度能加倍，鐘信號和基準信號作為受多相鐘控制的移位寄存器（１３）的輸出信號，它是（例如）用Ｃ－ＭＯＳ技術實現的，根據寄存器鐘的鐘脈沖信號，在移位寄存器（１３）的第一級（１０１）輸入端（１０７）上的信息通過或通不過之后，它決定移位寄存器（１３）的下一級（１０１）的輸出信號，因而決定連接到（１０１）級輸出（１１３）的電極（２１、２２、３１、３２……）上電壓的變化。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 動態控制 電荷 耦合 半導體器件 | ||
【主權項】：
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