[其他]帶動態控制的電荷耦合半導體器件

在審

• 申請號: 101985000004640
• 申請日: 1985-06-15
• 公開（公告）號: CN1003335B
• 公開（公告）日: 1989-02-15
• 發明（設計）人: 肖春京
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京

1、電荷耦合器件包含一半導體基片，在其主表面上限定至少一條電荷遷移溝道，并在同一主表面上備有各電極系統，在電極上可供給為電荷貯存的調節信號和為電荷遷移的時鐘信號，此器件的特征是，半導體器件至少包含一個移位寄存器，能受單相或多相時鐘所控制，并有若干級，還包含以電氣導通方式分別連接到移位寄存器各級的電極。

2、一種根據權利要求1的電荷耦合器件，其特征在于：所述表面上限定了若干條電荷遷移溝道，所述電極形成所述電荷遷移溝道的共同電極系統，控制所述電荷遷移溝道內的電荷遷移和電荷存儲。

3、根據權利要求1或2所述的電荷耦合器件，其特征是，本器件包含動態移位寄存器。

4、根據前述權利要求任一項所述的電荷耦合器件，其特征是，該移位寄存器包含若干倒相電路，用由時鐘控制的開關晶體管將它們相互連接。

5、根據權利要求4所述的電荷耦合器件，其特征是，該倒相電路包含兩個互補MOS晶體管。

6、根據權利要求4或5所述的電荷耦合器件，其特征是，電極系統中至少一個電極以電氣導通方式與移位寄存器的兩個連續級互相連接。

7、根據權利要求4或5所述的電荷耦合器件，其特征是，本器件包含至少兩個分寄存器，布置在電極系統的兩側。

8、根據前述權利要求1至3任一項所述的電荷耦合器件，其特征是，為了供給調節信號和時鐘信號，本器件包含至少兩個帶非倒相級的移位寄存器，電極系統的相繼電極以電氣導通方式交替連接到移位寄存器的相繼各級。

9、根據權利要求1至5的任一項所述的電荷耦合器件，其特征是，為了供給調節信號和時鐘信號，本器件包含兩個帶倒相級的移位寄存器，電極系統的相繼電極組以電氣導通方式交替連接到移位寄存器各級的相繼組。

10、根據權利要求9所述的電荷耦合器件，其特征是，兩個寄存器第一級的輸入端相互導通連接。