[其他]變折射率薄膜的單源真空沉積法在審
| 申請號： | 101985000000569 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100569B | 公開（公告）日： | 1988-06-01 |
| 發明（設計）人： | 龐叔鳴 | 申請（專利權）人： | 南京工學院 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 南京工學院專利事務所 | 代理人： | 樓高潮;柯景鳳 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | 本發明屬于薄膜的制備方法。目前，關于變折射率材料（光纖、成像元件、光波導等）的制造方法較多，大多純屬化學法。真空蒸發法及濺射法又只能得到均勻折射率薄膜。本發明是采用單個電子束蒸發源，實行真空蒸發，在基底上獲得變折射率薄膜，是一種物理法。此法獲得變折射率膜的關鍵是膜科的選配工藝和采用電子束定域加熱。此法與化學法相比，在制備工藝上具有較大的自由度的優點。本發明適用于制備微型光學元件或光集成元件所需的變折射率薄膜。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 折射率 薄膜 真空 沉積 | ||
【主權項】：
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