[其他]變折射率薄膜的單源真空沉積法

在審

• 申請號: 101985000000569
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100569B
• 公開（公告）日: 1988-06-01
• 發明（設計）人: 龐叔鳴
• 申請（專利權）人: 南京工學院
• 代理公司: 南京工學院專利事務所
• 代理人: 樓高潮;柯景鳳

1、一種由兩種鍍膜材料制成混合膜料，采用單個電子束蒸發源的變折射率薄膜制備方法，其特征在于：混合膜料是由滿足真空蒸發條件的不同折射率和熔點的鍍膜材料混合、熱壓成柱體塊料，電子束沿柱體軸向由上向下的路徑對柱體塊料進行定域加熱蒸發，在基底上沉積形成變折射率薄膜。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所說的鍍膜材料可以是滿足真空蒸發條件的金屬氧化物、稀土氧化物、少數硫化物和氟化物。

3、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：兩種鍍膜材料的熔點差值范圍為500度～1000度。（℃）

4、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：兩種鍍膜材料的混合比為1∶1～1∶0.5。

5、根據權利要求3所述的方法，其特征在于：兩種鍍膜材料的混合比為1∶1～1∶0.5。

6、根據權利要求1或2或5所述的方法，其特征在于：電子束所產生的加熱溫度為1000度～2500度。（℃）

7、根據權利要求3所述的方法，其特征在于：電子束所產生的加熱溫度為1000度～2500度。（℃）

8、根據權利要求4所述的方法，其特征在于：電子束所產生的加熱溫度為1000度～2500度。（℃）

9、根據權利要求1、2、5、7或8所述的方法，其特征在于：電子束的束截面為4-8（mm）²。

10、根據權利要求3所述的方法，其特征在于：電子束的束截為4-8（mm）²。

11、根據權利要求4所述的方法，其特征在于：電子束的束截面為4-8（mm）²。

12、根據權利要求6所述的方法。其特征在于：電子束的束截面為4-8（mm）²。