[其他]臺面型半導體器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000000501 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1003830B | 公開（公告）日： | 1989-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何德湛;陳益清;胡順帆;何啟丁;嚴光華;徐元森;朱菊珍;朱菊珍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明是臺面形半導體器件的制造方法。采用金剛砂輪刀在已形成半導體器件圖形的基片上的管芯二邊開槽形成井字形的臺面。所開的槽與ｐ－ｎ結(jié)界面接近垂直。用這種臺面制造方法特別適用于制造高壓大功率晶體管，可提高制得器件的擊穿電壓，減少二次擊穿，燒結(jié)時又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 臺面 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
暫無信息
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學院上海冶金研究所，未經(jīng)中國科學院上海冶金研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/101985000000501/，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：二沖程擺動活塞內(nèi)燃發(fā)動機
- 下一篇：人造氣功儀
- 同類專利
- 專利分類
