[其他]臺面型半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 101985000000501 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1003830B | 公開（公告）日： | 1989-04-05 |
| 發明（設計）人： | 何德湛;陳益清;胡順帆;何啟丁;嚴光華;徐元森;朱菊珍;朱菊珍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臺面 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、本發明是一種用金剛砂輪刀開槽制造半導體器件臺面的方法，所開的槽與p-n結界面接近垂直，其特征在于開槽前在管芯表面涂膠，開槽后用有緩慢腐蝕速度的腐蝕液稍加腐蝕，然后進行表面鈍化。
2、按權利要求1所述的方法，其特征在于所開的槽在單個管芯四周形成井字形結構。
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