[發明專利]發光器件及其制備方法、發光裝置在審
| 申請號： | 202210109375.6 | 申請日： | 2022-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN114447173A | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發明（設計）人： | 楊山偉;馬俊杰;盧元達;孫元浩;趙加偉;熊志軍;李雪嶠 | 申請（專利權）人： | 京東方晶芯科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人： | 張翠蓬 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 及其 制備 方法 裝置 | ||
1.一種發光器件，包括：外延層，設置在所述外延層同一側的至少一個器件電極，以及設置在所述器件電極背離所述外延層一側的至少一個可剝離的測試電極；
其中，所述測試電極與所述器件電極對應連接，所述測試電極在所述外延層所在平面上的正投影面積大于對應連接的器件電極在所述外延層所在平面上的正投影面積。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述測試電極靠近所述器件電極的一側具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件電極一側的表面與所述器件電極相互接觸。
3.根據權利要求2所述的發光器件，其中，在所述外延層背離所述器件電極的一側還設置有第一襯底，所述測試電極靠近所述器件電極的一側還具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一襯底一側的表面與所述第一襯底相互接觸。
4.根據權利要求3所述的發光器件，其中，所述第一凸出部與所述第二凸出部分別靠近所述測試電極相對的兩個端面設置，所述端面連接所述測試電極靠近所述器件電極一側的表面以及背離所述器件電極一側的表面。
5.根據權利要求4所述的發光器件，其中，所述第二凸出部與所述外延層之間的距離大于或等于10微米。
6.根據權利要求3所述的發光器件，其中，所述測試電極背離所述器件電極一側的表面尺寸大于或等于35微米。
7.根據權利要求2所述的發光器件，其中，在所述測試電極背離所述器件電極的一側還設置有第二襯底，所述測試電極背離所述器件電極一側的表面與所述第二襯底相互接觸；
所述測試電極包括測試區域，所述測試區域在所述第二襯底上的正投影與所述器件電極以及所述外延層在所述第二襯底上的正投影均無交疊，所述測試區域背離所述第二襯底一側的表面尺寸大于所述器件電極靠近所述第二襯底一側的表面尺寸。
8.根據權利要求7所述的發光器件，其中，所述測試區域背離所述第二襯底一側的表面尺寸大于或等于35微米。
9.根據權利要求2所述的發光器件，其中，所述第一凸出部與所述器件電極相互接觸的表面尺寸小于或等于5微米。
10.根據權利要求1至9任一項所述的發光器件，其中，所述測試電極的材料包括金屬氧化物。
11.根據權利要求1至9任一項所述的發光器件，其中，所述至少一個器件電極包括第一器件電極和第二器件電極，所述外延層包括第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一引出電極、第二引出電極和絕緣層；
其中，所述第一半導體層包括第一區域和第二區域；所述發光層、所述第二半導體層、所述第一引出電極、所述絕緣層以及所述第一器件電極依次層疊設置在所述第一區域的一側，所述發光層靠近所述第一區域設置，所述第一器件電極與所述第一引出電極通過設置在所述絕緣層上的第一過孔連接；所述第二引出電極、所述絕緣層和所述第二器件電極依次層疊設置在所述第二區域的一側，所述第二引出電極靠近所述第二區域設置，所述第二器件電極與所述第二引出電極通過設置在所述絕緣層上的第二過孔連接；
所述至少一個可剝離的測試電極包括第一測試電極和第二測試電極，所述第一測試電極與所述第一器件電極對應連接，所述第二測試電極與所述第二器件電極對應連接。
12.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述第二過孔靠近所述外延層的至少一個側面設置，所述側面連接所述外延層靠近所述器件電極一側的表面以及遠離所述器件電極一側的表面。
13.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述絕緣層背離所述第一區域一側的表面與所述絕緣層背離所述第二區域一側的表面高度一致。
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