[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制備方法、發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210109375.6 | 申請日： | 2022-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN114447173A | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊山偉;馬俊杰;盧元達;孫元浩;趙加偉;熊志軍;李雪嶠 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方晶芯科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人： | 張翠蓬 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 及其 制備 方法 裝置 | ||
發(fā)光器件及其制備方法、發(fā)光裝置。發(fā)光器件包括：外延層，設(shè)置在外延層同一側(cè)的至少一個器件電極，以及設(shè)置在器件電極背離外延層一側(cè)的至少一個可剝離的測試電極；其中，測試電極與器件電極對應(yīng)連接，測試電極在外延層所在平面上的正投影面積大于對應(yīng)連接的器件電極在外延層所在平面上的正投影面積。由于測試電極與器件電極對應(yīng)連接，并且測試電極在外延層所在平面上的正投影面積大于器件電極在外延層所在平面上的正投影面積，因此可以根據(jù)測試設(shè)備的需求設(shè)計較大面積的測試電極，從而可以對單個發(fā)光器件的波長、亮度和電壓等參數(shù)進行電性測試，提高測試的準(zhǔn)確性，降低電性不良的發(fā)光器件發(fā)生漏檢的概率。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光器件及其制備方法、發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
微顯示技術(shù)作為“次世代顯示技術(shù)”，是顯示領(lǐng)域眾多企業(yè)對高清及超高清顯示效果的追求目標(biāo)，是半導(dǎo)體、面板、檢測設(shè)備等產(chǎn)業(yè)大力研發(fā)的高端顯示技術(shù)。而微型發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)作為可為微顯示產(chǎn)品提供光源的器件，憑借體積小、亮度高、功耗低、壽命長、響應(yīng)速度快、可實現(xiàn)更高對比度及色彩飽和度等特性，被認(rèn)為是比有機發(fā)光二極管更適合微顯示技術(shù)的選擇。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了一種發(fā)光器件，包括：外延層，設(shè)置在所述外延層同一側(cè)的至少一個器件電極，以及設(shè)置在所述器件電極背離所述外延層一側(cè)的至少一個可剝離的測試電極；
其中，所述測試電極與所述器件電極對應(yīng)連接，所述測試電極在所述外延層所在平面上的正投影面積大于對應(yīng)連接的器件電極在所述外延層所在平面上的正投影面積。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述測試電極靠近所述器件電極的一側(cè)具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件電極一側(cè)的表面與所述器件電極相互接觸。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，在所述外延層背離所述器件電極的一側(cè)還設(shè)置有第一襯底，所述測試電極靠近所述器件電極的一側(cè)還具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一襯底一側(cè)的表面與所述第一襯底相互接觸。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述第一凸出部與所述第二凸出部分別靠近所述測試電極相對的兩個端面設(shè)置，所述端面連接所述測試電極靠近所述器件電極一側(cè)的表面以及背離所述器件電極一側(cè)的表面。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述第二凸出部與所述外延層之間的距離大于或等于10微米。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述測試電極背離所述器件電極一側(cè)的表面尺寸大于或等于35微米。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，在所述測試電極背離所述器件電極的一側(cè)還設(shè)置有第二襯底，所述測試電極背離所述器件電極一側(cè)的表面與所述第二襯底相互接觸；
所述測試電極包括測試區(qū)域，所述測試區(qū)域在所述第二襯底上的正投影與所述器件電極以及所述外延層在所述第二襯底上的正投影均無交疊，所述測試區(qū)域背離所述第二襯底一側(cè)的表面尺寸大于所述器件電極靠近所述第二襯底一側(cè)的表面尺寸。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述測試區(qū)域背離所述第二襯底一側(cè)的表面尺寸大于或等于35微米。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述第一凸出部與所述器件電極相互接觸的表面尺寸小于或等于5微米。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述測試電極的材料包括金屬氧化物。
在一種可選的實現(xiàn)方式中，所述至少一個器件電極包括第一器件電極和第二器件電極，所述外延層包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層、第一引出電極、第二引出電極和絕緣層；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方晶芯科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司，未經(jīng)京東方晶芯科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210109375.6/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
