[發明專利]陣列基板及其制備方法、液晶面板、液晶顯示裝置有效
| 申請號： | 201210374367.0 | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN102879963A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 宣堃 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制備 方法 液晶面板 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管，其特征在于，還包括閃存結構，所述閃存結構包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏極、浮柵以及浮柵絕緣層。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述浮柵與所述柵極以及所述源漏極正對的部位具有梳狀結構。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述浮柵延展至所述柵極與所述源漏極正對區域外。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于所述柵極與所述源漏極正對區域外的部位具有板狀結構。
5.根據權利要求1~4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述浮柵由金屬材料制備而成。
6.根據權利要求1~4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述浮柵由透明導電材料制備而成。
7.根據權利要求1~4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、柵絕緣層、浮柵、浮柵絕緣層、有源層以及源漏極依次位于所述襯底上。
8.根據權利要求1~4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏極、有源層、浮柵絕緣層、浮柵、柵絕緣層、柵極依次位于所述襯底上。
9.一種液晶面板，其特征在于，包括如權利要求1~8任一項所述的陣列基板。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的液晶面板。
11.一種底柵型陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成柵極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管柵極和閃存結構柵極的圖形；
在柵極金屬層上形成柵絕緣層；
在柵絕緣層上形成浮柵金屬層，并通過一次構圖工藝形成閃存結構浮柵的圖形；
在浮柵金屬層上形成浮柵絕緣層；
在浮柵絕緣層上形成有源層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管有源層和閃存結構有源層的圖形；
在有源層上形成源漏極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管源漏極與閃存結構源漏極的圖形。
12.一種頂柵型陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成源漏極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管源漏極與閃存結構源漏極的圖形；
在源漏極金屬層上形成有源層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管有源層和閃存結構有源層的圖形；
在有源層層上形成浮柵絕緣層；
在浮柵絕緣層上形成浮柵金屬層，并通過一次構圖工藝形成閃存結構浮柵的圖形；
在浮柵金屬層上形成柵絕緣層；
在柵絕緣層上形成柵極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管柵極和閃存結構柵極的圖形。
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