[發明專利]陣列基板及其制備方法、液晶面板、液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201210374367.0
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102879963A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 宣堃
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77;G11C16/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶面板、液晶顯示裝置。

背景技術

閃存是一種長壽命的非易失性存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，比電子可擦除只讀存儲器的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存各種電子顯示設備的設置信息，如在電腦的基本輸入輸出程序、個人數字助理、數碼相機中保存資料等方面。

隨著液晶顯示技術的發展，對液晶面板的多樣式顯示需求越來越多，在液晶面板的顯示過程中，對液晶面板的設定信息越來越多，現有技術中，液晶面板的設定信息存儲在單獨的閃存芯片內。

因此，如何將上述閃存結構集成在液晶面板內成為本領域技術人員需要研究的課題。

發明內容

本發明提供了一種陣列基板，該陣列基板的每一個像素單元內形成一個閃存結構，能夠將閃存結構集成在陣列基板內。

另外，本發明還提供了一種具有上述陣列基板的液晶面板和一種具有上述液晶面板的液晶顯示裝置、以及上述陣列基板的制備方法。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種陣列基板，包括薄膜晶體管，還包括閃存結構，所述閃存結構包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏極、浮柵以及浮柵絕緣層。

優選地，所述浮柵與所述柵極以及所述源漏極正對的部位具有梳狀結構。

優選地，所述浮柵延展至所述柵極與所述源漏極正對區域外。

優選地，位于所述柵極與所述源漏極正對區域外的部位具有板狀結構。

優選地，所述浮柵由金屬材料制備而成。

優選地，所述浮柵由透明導電材料制備而成。

優選地，所述柵極、柵絕緣層、浮柵、浮柵絕緣層、有源層以及源漏極依次位于所述襯底上。

優選地，所述源漏極、有源層、浮柵絕緣層、浮柵、柵絕緣層、柵極依次位于所述襯底上。

本發明還提供了一種液晶面板，包括上述技術方案中提到的任一種陣列基板。

本發明還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述技術方案中提到的液晶面板。

本發明還提供了一種底柵型陣列基板的制備方法，包括：

在襯底上形成柵極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管柵極和閃存結構柵極的圖形；

在柵極金屬層上形成柵絕緣層；

在柵絕緣層上形成浮柵金屬層，并通過一次構圖工藝形成閃存結構浮柵的圖形；

在浮柵金屬層上形成浮柵絕緣層；

在浮柵絕緣層上形成有源層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管有源層和閃存結構有源層的圖形；

在有源層上形成源漏極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管源漏極與閃存結構源漏極的圖形。

本發明還提供了一種頂柵型陣列基板的制備方法，包括：

在襯底上形成源漏極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管源漏極與閃存結構源漏極的圖形；

在源漏極金屬層上形成有源層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管有源層和閃存結構有源層的圖形；

在有源層層上形成浮柵絕緣層；

在浮柵絕緣層上形成浮柵金屬層，并通過一次構圖工藝形成閃存結構浮柵的圖形；

在浮柵金屬層上形成柵絕緣層；

在柵絕緣層上形成柵極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管柵極和閃存結構柵極的圖形。

本發明提供的具有閃存結構的陣列基板，包括薄膜晶體管，還包括閃存結構，所述閃存結構包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏極、浮柵以及浮柵絕緣層。

上述陣列基板中的柵極、柵絕緣層、浮柵、浮柵絕緣層、有源層以及源漏極，形成了一種基于浮柵結構的非易失性閃存結構，從而將閃存結構集成在陣列基板中。

所以，本發明提供的陣列基板內集成了基于浮柵結構的閃存結構。

在進一步的技術方案中，本發明提供的液晶面板，包括上述技術方案中提供的任一種陣列基板。由于上述陣列基板中具有集成的閃存結構，因此，該液晶面板中也具有集成的閃存結構。

在進一步的技術方案中，本發明提供了一種液晶顯示裝置，包括上述技術方案中的液晶面板，該液晶顯示裝置中具有集成的閃存結構。

另外，本發明還提供了一種底柵型陣列基板的制備方法，包括：

在襯底上形成柵極金屬層，并通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管柵極和閃存結構柵極的圖形；

在柵極金屬層上形成柵絕緣層；