[發(fā)明專利]含有無機材料的聚合物基固態(tài)裝置的封裝方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 99809361.0 | 申請日: | 1999-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN1311976A | 公開(公告)日: | 2001-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B·尼爾森;P·拜利 | 申請(專利權(quán))人: | 優(yōu)尼愛克斯公司 |
| 主分類號: | H05B33/00 | 分類號: | H05B33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 龐立志,羅才希 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含有 無機 材料 聚合物 固態(tài) 裝置 封裝 方法 | ||
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及封裝固態(tài)電子裝置的方法及被封裝的裝置。更具體而言,本發(fā)明涉及被封裝的有機聚合物發(fā)光裝置。本發(fā)明主要描述了封裝這種裝置以防止周圍的潮氣和氧與制造該裝置所用的材料發(fā)生反應(yīng)的方法。
發(fā)明背景
由共軛有機聚合物層制造的二極管且特別是發(fā)光二極管(LED)由于其在顯示器技術(shù)領(lǐng)域潛在的應(yīng)用前景而引人注目[J.H.Burroughs,D.D.C.Bradley,A.R.Brown,R.N.Marks,K.Mackay,R.H.Friend,P.L.Burns和A.B.Holmes,《自然》(Nature)347,539(1990);D.Braun和A.J.Heeger,AppL.Phys.Lett.58,1982(1991)]。在此引入這些文獻及其所參考的所有其它論文、專利和專利申請作為參考。用作聚合物L(fēng)ED中活性層的有前途材料為聚(亞苯基亞乙烯基)(“PPV”)及PPV的可溶性衍生物如聚(2-甲氧基5-(2’-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基)(“MEH-PPV”),一種禁帶寬度Egz≈=2.1eV的高分子半導(dǎo)體。該材料在美國專利5,189,136中有更詳細(xì)的描述。在本申請中所述的另一種有用材料為聚(2,5-二(膽甾烷氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基)(“BCHA-PPV”),一種禁帶寬度Eg≈2.2eV的高分子半導(dǎo)體。該材料在美國專利申請07/800,555中有更詳細(xì)的描述。其它適宜的聚合物包括例如:OCIC10-PPV;由D.Braun,G.Gustafsson,D.McBranch和A.J.Heeger在J.Appl.Phys.72,564(1992)中所述的聚(3-烷基噻吩)及由M.Berggren,O.Inganas,G.Gustafsson,J.Rasmusson,M.R.Andersson,T.Hjertberg和O.Wennerstrom所述的相關(guān)衍生物;由G.Grem,G.Leditzky,B.Ullrich和G.Leising在Adv.Mater.4,36(1992)所述的聚對亞苯基,及由Z.Yang,I.Sokolik,F.E.Karasz在《大分子》(Macromolecules),26,1188(1993)中所述的其可溶性衍生物;由I.D.Parker在J.Appl.Phys.Lett.65,1272(1994)中所述的聚喹啉。在非共軛主體聚合物中的共軛高分子半導(dǎo)體的共混物也可用作聚合物L(fēng)ED中的活性層,如C.Zhang,H.von?Seggern,K.Pakbaz,B.Kraabel,H.-W.Schmidt和A.J.Heeger在Synth.Met.,62,35(1994)中所述。同樣有用的為包含兩種或多種共軛聚合物的共混物,如H.Nishino,G.Yu,T-AChen,R.D.Rieke和A.J.Heeger在Synth.Met.,48,243(1995)中所述。一般用作聚合物L(fēng)ED中活性層的材料包括半導(dǎo)電共軛聚合物,更特別為可光致發(fā)光的半導(dǎo)電共軛聚合物,而且還更特別為可光致發(fā)光且可溶并可從溶液中加工成均勻薄膜的半導(dǎo)電共軛聚合物。
在有機聚合物基LED領(lǐng)域,已在該領(lǐng)域講到使用較高逸出功金屬作為陽極;該高逸出功陽極用于將空穴注入半導(dǎo)體發(fā)光聚合物的另外的已被填充的π-能帶中。較低逸出功金屬優(yōu)選作為陰極材料;該低逸出功陰極用于將電子注入半導(dǎo)體發(fā)光聚合物的另外的空π*-能帶中。在陽極注入的空穴和在陰極注入的電子在活性層內(nèi)重新輻射結(jié)合并發(fā)射光。適宜電極的標(biāo)準(zhǔn)由I.D.Parker在J.Appl.Phys,75,1656(1994)中詳述。
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