[發明專利]對磁記錄介質進行分區潤滑的裝置及相關方法無效
| 申請號: | 99806486.6 | 申請日: | 1999-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN1302233A | 公開(公告)日: | 2001-07-04 |
| 發明(設計)人: | M·雅努斯·汗;魏波 | 申請(專利權)人: | 現代電子美國公司 |
| 主分類號: | B05C1/00 | 分類號: | B05C1/00;B05C13/00;B05D1/00;B05D3/00;A47L25/00;F16N1/00;B32B31/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 谷惠敏,李輝 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 記錄 介質 進行 分區 潤滑 裝置 相關 方法 | ||
發明背景
本發明涉及磁存儲介質,更具體地說,本發明涉及在計算機磁盤驅動器中使用的硬盤。
計算機和其它類型的設備經常從磁介質讀寫磁通量模式。一種優選的磁介質類型為硬磁盤或硬盤。在計算機系統中,使用硬盤驅動器存儲數字數據已有30多年的時間了,而且,硬盤驅動器具有低成本、高記錄容量以及相對快速的數據檢索能力。盡管,在旋轉磁盤上讀取磁模式的基本原理未發生變化,但是,磁盤驅動器的部件,特別是讀寫頭(“磁頭”)以及磁盤卻得到明顯的發展。
最初的磁盤是通過將磁性顆粒,如:混合在樹脂中的氧化鐵顆粒,涂覆到直徑為24英寸的剛性盤片上制造的。最近,已利用薄膜技術在直徑通常為3.5英寸的盤片上濺射磁性金屬薄膜。金屬薄膜可提供的磁化強度100倍于舊式顆粒薄膜所提供的磁化強度,因此,可以利用更薄的薄膜產生同樣的磁通量。更薄的薄膜允許更細的磁格,磁格代表將形成的數據位。更細的磁格可以產生更高的記錄密度和存儲密度。此外,可以在非常平滑的盤片上形成金屬薄膜。平滑的薄膜使得磁頭可以更接近磁格“飛行”,產生更高的回讀幅度。
表面粗糙度限制磁頭可以多低地接近介質,并增加磁層的整體噪聲。記錄磁頭設計的進步,特別是磁阻(MR)磁頭的引入,要求不斷降低表面粗糙度。當前,能夠存儲記錄密度為3Gbit/in2的MR介質的表面具有約1nm的粗糙度。希望進一步存儲10Gbit/in2的介質表面粗糙度具有低于當前介質數量級的粗糙度。
這種光滑表面不允許磁頭不承受“靜摩擦”力而接合。通常,靜摩擦是磁盤驅動行業用于描述當磁盤的旋轉速度加速到操作速度時磁頭經過磁盤的滑動摩擦的術語。一旦,磁盤以全速旋轉,那么,磁頭將以操作高度在磁盤上空浮起。當啟動時(當磁盤被接通開始旋轉時)或降低旋轉速度時,磁頭會下沉從而更接近磁盤,由此產生摩擦。有多種原因可以產生靜摩擦力,包括在磁頭和磁盤之間建立的局部真空以及在磁盤或磁頭上存在的液體之間的毛細作用。
為了避免在啟動時產生過高的靜摩擦,在某些磁盤上設置了具有紋理的磁頭停放區,當關閉磁盤時,磁頭可以移動到該磁頭停放區。這些磁頭停放區具有紋理以允許磁頭離開磁盤時具有不大于1-2克的阻力。還可以利用液體潤滑劑對這些磁頭停放區進行潤滑以進一步提高磁頭的接觸-起-停性能。通常,利用浸漬法或噴射法施加潤滑劑,這兩種方法速度快且價廉,但是,它們會將潤滑劑覆蓋到整個磁盤。不幸地是,在數據區存在液體潤滑劑會在磁盤的數據區產生靜摩擦力問題,而且如果磁頭從數據區攜帶了液體潤滑劑并將此多余潤滑劑轉移到磁頭停放區,那么在磁盤的磁頭停放區也會產生靜摩擦力問題。
發明概述
本發明提供了一種用于在磁盤的磁頭停放區和數據區之間實現不同潤滑厚度的裝置及其相關方法。
在一種實施例中,該裝置使加有潤滑劑的磁盤在主軸上旋轉。帶輪將吸收帶壓到磁盤的選定部位,然后吸收帶從磁盤表面吸附一部分流動潤滑劑。磁盤或帶輪相互間以橫向關系移動,因此,可以將流動潤滑劑從加有潤滑劑的磁盤的一個區去除,如:數據區,而將流動潤滑劑留在磁盤的另一個區,如:磁頭停放區。在另一個實施例中,為了更容易地從數據區清除流動潤滑劑,將溶劑吸附到吸附帶上和/或磁盤上。
通過參考以下說明和附圖,可以進一步理解根據本發明的雙區潤滑的磁盤的特性和優點。
附圖的簡要說明
圖1示出雙區潤滑薄膜磁盤一部分的簡化斷面圖;
圖2示出根據本發明的一個實施例用于在磁盤上產生可變潤滑厚度的裝置的簡化圖解說明。
圖3示出適合用于生產雙區潤滑的磁盤的磁盤加工系統的部分簡化示意圖;
圖4示出雙區潤滑的磁盤的生產方法簡化流程圖;以及
圖5示出將表面加工系統配置到雙區潤滑的磁盤生產裝置的方法的簡化流程圖。
特定實施例的說明
圖1示出的是分區潤滑薄膜磁盤10的簡化斷面圖,它不是按比例描繪的。盤片或基片12為直徑95mm鍍有硬質鎳磷(Ni-P)涂層14的鋁鎂合金。首先,將鎳磷(Ni-P)涂層拋光,然后,將它紋理化為約1nm的均方根(RMS)粗糙度。接近50nm厚的鉻的成核基底層16被噴鍍到基片上并作為隨后以優選方向沉淀的磁層18的成核顆粒。磁層的優選方向表示相對容易在磁盤平面或接近磁盤平面磁化的軸。此方向可以實現良好的磁滯后特性。
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