[發(fā)明專利]用于對半導體襯底進行處理的方法和設(shè)備

無效

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• 申請日: 1999-05-19
• 公開（公告）號: CN1302453A
• 公開（公告）日: 2001-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 克努特·比克曼;蓋伊·帕特里克·塔克
• 申請（專利權(quán)）人: 特利康技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;H01L21/316;C23C16/40
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 孫征

1．??一種用于處理半導體襯底的方法，其包括如下的步驟：

(a)在襯底上淀積一層聚合物；以及

(b)在淀積其它另外層之前，將襯底在缺氧環(huán)境中進行加熱，以除去聚合物中的大部分氫氧鍵，并基本固化該聚合物淀積層。

2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：該方法還包括在進行步驟(a)之前將襯底放置到一個處理室中的步驟，其中反應劑以氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)被導入到處理室中。

3．一種用于對半導體襯底進行處理的方法，其包括如下的步驟：

(a)將襯底放置在一個腔室中；

(b)將含硅化合物和其它含有過氧根離子的化合物以氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)導入到腔室中，并使含硅化合物和其它化合物發(fā)生反應，從而在所說襯底上生成一個聚合物層；以及

(c)在淀積其它另外層之前，先將襯底在缺氧環(huán)境中進行加熱，以除去聚合物中的大部分氫氧鍵，并基本固化該聚合物淀積層。

4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：其中的含硅化合物是一種硅烷或硅氧烷。

5．根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：其中的含硅化合物是一種甲基硅烷。

6．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：氫氧鍵是以水分的形式被除去的。

7．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：加熱通過熱輻射裝置來完成的。

8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述熱輻射裝置包括一個工作在熱輻射譜內(nèi)的紅外元件。

9．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：進行加熱的最大溫度大于或等于400攝氏度。

10．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：進行加熱的最大溫度小于或等于450攝氏度。

11．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：是用燈泡熱源來進行加熱的。

12．根據(jù)權(quán)利要求1-10之一所述的方法，其特征在于：是用一個黑體發(fā)熱裝置進行加熱的。

13．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：加熱步驟是在一個非過飽和的環(huán)境中進行的。

14．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：加熱步驟是在一個低于大氣壓的環(huán)境中進行的。

15．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：聚合物層的厚度小于1.5微米。

16．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：聚合物層的厚度在5000埃到10000埃之間。

17．根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于：襯底以聚合物面朝上、并由位于襯底下方的熱源進行加熱的狀態(tài)進行布置的。

18．一種用來實施前述權(quán)利要求之一所述方法的設(shè)備，其包括：在襯底上淀積一個聚合物層的裝置，以及一個在襯底被淀積其它層之前、在缺氧環(huán)境中對其進行加熱的裝置。

19．一種用于實施權(quán)利要求1-17之一所述方法的設(shè)備，該設(shè)備包括：

(a)一個腔室，其帶有將含硅化合物和其它含過氧鍵的化合物導入到該腔室的裝置，和一個用于支撐襯底的拖盤裝置；以及

(b)一個腔室，其具有在襯底被淀積其它層之前、在缺氧環(huán)境中對其進行加熱的裝置。

20．根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的設(shè)備，其特征在于：還包括一個用于維持非超飽和環(huán)境的裝置。

21．根據(jù)權(quán)利要求18到20之一所述的設(shè)備，其特征在于：用于進行加熱的裝置是一個輻射裝置。