[發明專利]反射型傳感器無效
| 申請號: | 99806380.0 | 申請日: | 1999-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN1301403A | 公開(公告)日: | 2001-06-27 |
| 發明(設計)人: | 佐野正志;鈴木伸明;鈴木慎一 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 傳感器 | ||
本發明涉及用于檢測被檢測對象的存在的反射型傳感器,尤其涉及平面安裝在基片上的反射型傳感器。
作為檢測被檢測對象的存在的傳感器,一直采用的有內置微開關的接觸型傳感器和光斷續器等的非接觸型傳感器。一般來說,光斷續器包括有透射型光斷續器和反射型光斷續器兩種。在透射型光斷續器中,發光元件和光電元件相向配置。另一方面,在反射型光斷續器中,發光元件和光電元件同向配置。
最近,對于反射型光斷續器的需要比透射型遮斷器的大。其理由之一是,與透射型光斷續器相比,反射型光斷續器的結構使其能夠設置于更多類型的場所。
參照圖19至圖21說明已有的反射型傳感器(光斷續器)。圖中的反射型傳感器1有一個長方體形狀的保護封裝2(圖19)。其中埋設有發光元件31和光電元件32(圖20和圖21)。
保護封裝2由包圍發光元件31的第1樹脂體21、包圍光電元件32的第2樹脂體22以及支持這兩個樹脂體21、22的第3樹脂體25所組成。如圖19所示,第1和第2樹脂體21、22的上面露在外面,其他面則被第3樹脂體25所覆蓋。
第1和第2樹脂體21、22為透明狀態,可以透過光線。例如,第1和第2樹脂體21、22采用透明的環氧樹脂制成。另一方面,第3樹脂體25為不透明狀態,不能透過光線。例如,第3樹脂體25采用黑色PPS(對聚苯硫)制成。
環氧樹脂的線膨脹系數,例如為11~12×10-5/℃。PPS的線膨脹系數,例如為6~7×10-5/℃。因此,當加熱時,由環氧樹脂制成的第1和第2樹脂體21、22的膨脹率比由PPS制成的第3樹脂體25的要大。
如圖20所示,發光元件31與引線5a連接,同時,通過導線4a與另一引線5b電氣導通。同樣,光電元件32與引線5c連接,同時,通過導線4b與另一引線5d電氣導通。引線5a~5d的自由端通過焊錫焊接在基片S上的電極片P上。這一焊接操作可以采用下面所述的焊錫逆流法進行。
首先,在每個電極片P上,涂上焊錫漿H。然后,將反射型傳感器1放在基片S上,使其引線5a~5b的自由端能夠位于電極片P上。在此狀態下,將基片S和反射型傳感器1放入加熱爐內進行加熱。此時的加熱爐內的溫度為,例如200℃以上。由此,涂敷的焊錫漿熔化,使引線5a~5d的自由端和電極片P濕潤。之后,將基片S和反射型傳感器1從加熱爐內取出,進行冷卻。由此,焊錫漿固化,反射型傳感器1便固定在基片S上面。
具有所述結構的已有反射型傳感器,有如下的缺點。
如上所述,第1和第2樹脂體21、22的熱膨脹比率較第3樹脂體25的要大。然而,第1和第2樹脂體21、22除了上面以外,均被第3樹脂體所包圍。因此,當加熱反射型傳感器1時,如圖20的虛線所示,第1和第2樹脂體21、22只能向上方鼓出。如果第1和第2樹脂體21、22象這樣朝一個方向膨脹,就有可能使導線4a、4b與引線5b、5d剝離開來。
另外,已有的反射型傳感器1還有如下的缺點。如上所述,反射型傳感器1在加熱爐內加熱到200℃以上的溫度后,再進行冷卻。此時,熔化的焊錫漿H在例如180℃的溫度固化。由此,引線5a~5d固定在電極片P上。但是,在此階段(溫度180℃),保護封裝2(特別是第1和第2樹脂體21、22)依然處在熱膨脹的狀態,隨著溫度的降低,逐漸進行熱收縮。
當引線5a~5d固定在電極片P上,而保護封裝2發生收縮時,對于引線5a~5d,施加了一個使其從保護封裝2中拔出來的力。這樣,導線4a、4b上施加了過大的應力,其結果將可能使導線4a、4b與引線5b、5d剝離開來。
本發明提供可以消除或者減輕所述已有技術問題的反射型傳感器。
按照本發明之一所提供的反射型傳感器,它包括:發光元件、與所述發光元件協同工作的光電元件、在包圍所述發光元件并具有第1面以及與此第1面相反的第2面的第1樹脂體、在包圍所述光電元件并具有第3面以及與此第3面相反的第4面的第2樹脂體、支持所述第1和第2樹脂體的第3樹脂體、與所述發光元件電氣導通的第1對引線、與所述進行光電元件電氣導通的第2對引線;所述第1樹脂體的第1面和第2面以及所述第2樹脂體的第3面和第四面露在外面。
這種結構的第1樹脂體和第2樹脂體,均分別可能向上方和下方進行均等的熱膨脹。因此,可以防止在第1樹脂體和第2樹脂體的內部發生所不希望出現的應力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





