[發明專利]行-列可尋址電微開關陣列及使用其的傳感器矩陣無效
| 申請號: | 99804732.5 | 申請日: | 1999-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN1295722A | 公開(公告)日: | 2001-05-16 |
| 發明(設計)人: | 俞鋼;曹鏞 | 申請(專利權)人: | 優尼愛克斯公司 |
| 主分類號: | H01L51/20 | 分類號: | H01L51/20;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永,王忠忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 尋址 開關 陣列 使用 傳感器 矩陣 | ||
1、一種微開關陣列,包括多個電微開關,多個微開關的每個部件的形式是第一電極/半導體/第二電極層,半導體層是陣列的各部件共享的整體。
2、根據權利要求1的微開關陣列,其中多個微開關按x-y可尋址陣列構成。
3、根據權利要求1的微開關陣列,其中半導體是無機半導體。
4、根據權利要求1的微開關陣列,其中半導體是有機半導體。
5、根據權利要求2的微開關陣列,其中半導體是有機半導體。
6、根據權利要求4的微開關陣列,其中有機半導體選自共軛有機半導電聚合物、共軛有機半導電共混聚合物、半導電有機分子、半導電有機金屬分子、分子混合物或半導電有機分子及這些材料的多層結構構成的組。
7、根據權利要求1的微開關陣列,其中各電極中的至少一個是金屬電極。
8、根據權利要求1的微開關陣列,其中各電極中的至少一個包括導電有機聚合物。
9、根據權利要求1的微開關陣列,其中各電極中的至少一個包括與半導體層相鄰的緩沖層。
10、根據權利要求1的微開關陣列,其中各電極中的至少一個是透明的。
11、一種三維微開關陣列,包括多個權利要求1的陣列的疊層。
12、一種三維微開關陣列,包括多個權利要求2的陣列的疊層。
13、一種多單元電壓開關傳感器陣列,包括權利要求1的微開關陣列,陣列的各單元與多個傳感器單元的各部件串聯,所說傳感器單元響應于所探測的激勵產生電信號。
14、根據權利要求13的多單元電壓開關傳感器陣列,其中傳感器是薄層傳感器,它們自身為第一探測電極/探測半導體/第二探測電極層的形式。
15、根據權利要求14的多單元電壓開關傳感器陣列,其中探測半導體是有機半導體。
16、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,其中微開關和傳感器共享一個共用電極。
17、一種多單元電壓開關傳感器陣列,包括權利要求5的微開關陣列,陣列的各單元與多個傳感器單元的各部件串聯,所說傳感器單元響應于所探測的激勵產生電信號。
18、根據權利要求17的多單元電壓開關傳感器陣列,其中傳感器是薄層傳感器,它們自身為第一探測電極/探測半導體/第二探測電極層的形式。
19、根據權利要求18的多單元電壓開關傳感器陣列,其中探測半導體是有機半導體。
20、根據權利要求19的多單元電壓開關傳感器陣列,其中微開關和傳感器共享一個共用電極。
21、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,另外包括支撐基片。
22、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,其中傳感器對光敏感。
23、根據權利要求22的多單元電壓開關傳感器陣列,其中第二探測電極對要探測的光是透明的。
24、根據權利要求22的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說光包括可見光。
25、根據權利要求22的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說光包括紫外光。
26、根據權利要求22的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說光包括紅外光。
27、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說傳感器對X射線敏感。
28、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說傳感器探測選自電子、β粒子和γ射線輻射的高能電離粒子。
29、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說傳感器對表面壓力敏感。
30、根據權利要求15的多單元電壓開關傳感器陣列,其中所說傳感器對表面溫度敏感。
31、根據權利要求13的多單元電壓開關傳感器陣列,按兩維x-y可尋址形式構成。
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