[發明專利]真空場效應晶體管

無效

• 申請號: 99804294.3
• 申請日: 1999-03-25
• 公開（公告）號: CN1294760A
• 公開（公告）日: 2001-05-09
• 發明（設計）人: 曹圭亨;柳之烈;黃明運;趙敏衡;禹永振;金榮基
• 申請（專利權）人: 韓國科學技術院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 陳瑞豐

1．一種平面型真空場效應晶體管，它包括：

由導體制成的源極和漏極，它們分開一段預定的距離而保持于一個薄的溝道絕緣體上，其間有真空溝道；

由導體制成的柵極，它有一定寬度，形成于所述源極和漏極的下面，所述溝道絕緣體的作用在于使柵極與源極和漏極絕緣；

絕緣主體，用作支撐溝道絕緣體和柵極的基片，其特征在于，在柵極、源極和漏極之間加給適當的偏壓，以使電子能夠從源極經所述真空溝道被場致發射到漏極。

2．一種如權利要求1所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，在所述源極與真空溝道之間以及所述漏極與真空溝道之間的接觸區域還包含低功函數材料。

3．一種如權利要求1所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，所述低功函數材料在與所述真空溝道接觸的溝道絕緣體上方延伸。

4．一種如權利要求1所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，在所述柵極與溝道絕緣體之間還包括低功函數材料。

5．一種如權利要求1至4任一項所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，在靠近所述柵極和源極處的溝道絕緣體區域中淀積陽離子，實現耗盡型器件。

6．一種如權利要求1至4任一項所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，所述柵極區域位于源極或漏極處。

7．一種如權利要求1至4任一項所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，所述柵極區域不連續，既位于源極處又位于漏極處。

8．一種如權利要求1至4任一項所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，還以如下方式在所述源極側包括電場屏蔽柵極，所述電場屏蔽柵極覆蓋除電子發射點以外的源極區域，在所述電子發射點附近，源極、真空溝道及溝道絕緣體互相接觸，從而在電子發射區域消除由加給漏極的電壓形成之電場的影響。

9．一種如權利要求1至4任一項所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，所述平面型真空場效應晶體管被絕緣的中隔壁所包圍，避免外部電場對電子從源極到漏極運動的影響，從而在多個晶體管被集成在一起的情況下，使電子不能從一個晶體管偏移到另一個相鄰的晶體管。

10．一種如權利要求1至4任一項所述的平面型真空場效應晶體管，其特征在于，還包括一個絕緣板，所述絕緣板具有多個溝道，每個溝道中安裝一個縱向型真空場效應晶體管器件，使各絕緣的溝道壁防止被集成的各晶體管器件間的干擾，從而使電子不致從一個器件偏移到另一個相鄰的器件。

11．一種縱向型真空場效應晶體管，包括：

導電的連續圓形源極，它具有空著的中心，形成于溝道絕緣體上；

形成于所述溝道絕緣體下面并延伸跨過所述源極的導電的柵極；

絕緣主體，用作支撐所述柵極和溝道絕緣體的基片；

安裝在所述源極上方的絕緣壁，形成閉合的真空溝道；

形成于所述真空溝道上方的漏極，其特征在于，在柵極、源極和漏極之間加給適當的偏壓，以使電子能夠從源極經所述真空溝道被場致發射到漏極。

12．一種如權利要求11所述的縱向型真空場效應晶體管，其特征在于，還包含在所述源極上的一種功函數材料。

13．一種如權利要求11所述的縱向型真空場效應晶體管，其特征在于，所述低功函數材料在與所述真空溝道接觸的溝道絕緣體上方延伸。

14．一種如權利要求11所述的縱向型真空場效應晶體管，其特征在于，還包含一種在所述柵極與溝道絕緣體之間的功函數材料。

15．一種如權利要求11至14任一項所述的縱向型真空場效應晶體管，其特征在于，還以如下方式在所述源極側包括電場屏蔽柵極，所述電場屏蔽柵極覆蓋除電子發射點以外的源極區域，在所述電子發射點附近，源極、真空溝道及溝道絕緣體互相接觸，從而在電子發射區域消除由加給漏極的電壓形成之電場的影響。

16．一種如權利要求11至14任一項所述的縱向型真空場效應晶體管，其特征在于，還包括一個絕緣板，所述絕緣板具有多個溝道，每個溝道中安裝一個縱向型真空場效應晶體管器件，使各絕緣的溝道壁防止被集成的各晶體管器件間的干擾，從而使電子不致從一個器件偏移到另一個相鄰的器件。