[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法和制造該半導(dǎo)體器件用的增強(qiáng)帶無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 99127785.6 | 申請(qǐng)日： | 1999-12-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1155079C | 公開(kāi)（公告）日： | 2004-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中村仲榮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 夏普公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/12 | 分類號(hào)： | H01L23/12;H01L23/48;H01L21/48;B23B31/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 葉愷東 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 增強(qiáng) | ||
【權(quán)利要求書】：
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