[發(fā)明專利]模塊式半導(dǎo)體器件無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 99123411.1 | 申請(qǐng)日: | 1999-11-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1253377A | 公開(kāi)(公告)日: | 2000-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田中明;山本敦史;草野貴史;西村隆宣;荒木浩二;福吉寬;石渡裕;奧富功 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L23/34 | 分類號(hào): | H01L23/34;H01L23/12;H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模塊 半導(dǎo)體器件 | ||
本發(fā)明涉及到模塊式半導(dǎo)體器件,它具有用來(lái)冷卻的可固定于熱沉的導(dǎo)熱底座,并具有在導(dǎo)熱底座上提供有焊料、第二導(dǎo)電層、絕緣襯底、第一導(dǎo)電層和半導(dǎo)體元件的疊層結(jié)構(gòu)。
在諸如功率開(kāi)關(guān)元件之類的半導(dǎo)體元件領(lǐng)域中,封裝件中含有一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體元件的模塊式半導(dǎo)體器件是眾所周知的。
圖1典型地示出了常規(guī)模塊式半導(dǎo)體器件的示意結(jié)構(gòu)。在這種模塊式半導(dǎo)體器件中,相對(duì)于用將第一導(dǎo)電層2連接到絕緣陶瓷層1的一個(gè)表面并將第二導(dǎo)電層3連接到其另一表面的方法制作的絕緣襯底4,一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體元件5被連接到第一導(dǎo)電層2上,而導(dǎo)熱底座7通過(guò)焊料6被連接到第二導(dǎo)電層3上。
可以用螺栓之類將導(dǎo)熱底座7固定到由相同的導(dǎo)熱材料制成的熱沉(未示出)。
這樣,在模塊式半導(dǎo)體器件中,在半導(dǎo)體元件5被隔離于外部熱沉的情況下,半導(dǎo)體元件5工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱通過(guò)絕緣襯底4和導(dǎo)熱底座7被送到外部熱沉中。
但在上述模塊式半導(dǎo)體器件中,焊料6將絕緣襯底4連接到線性膨脹系數(shù)不同于具有襯底4的導(dǎo)熱底座7。因此,焊料6就成為對(duì)溫度循環(huán)中的損傷最敏感的區(qū)域。實(shí)際的失效或缺陷大多數(shù)是由焊料6的疲勞引起的。
具體地說(shuō),在由工作過(guò)程中電流的開(kāi)啟/關(guān)斷控制之后的反復(fù)發(fā)熱與冷卻造成的溫度上升與下降所組成的溫度循環(huán)中,模塊式半導(dǎo)體器件的各個(gè)組成部分反復(fù)地膨脹與收縮。
此處,若導(dǎo)熱底座7由例如銅制成,則在這些元件中的絕緣陶瓷層1與導(dǎo)熱底座7之間的膨脹量和壓縮量中存在4倍的差異。
若差異這樣大的膨脹與壓縮反復(fù)出現(xiàn),則絕緣襯底4與導(dǎo)熱底座7之間的焊料6就可能出現(xiàn)疲勞損傷。如上所述,焊料6的疲勞損傷還引起失效或缺陷,從而降低裝置的可靠性。
本發(fā)明的目的是提供一種能夠防止溫度循環(huán)引起的焊料疲勞損傷并提高可靠性的模塊式半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明為模塊式半導(dǎo)體器件而設(shè)計(jì),此器件包含絕緣陶瓷層;連接于絕緣陶瓷層一個(gè)表面的第一導(dǎo)電層;連接于絕緣陶瓷層另一個(gè)表面的第二導(dǎo)電層;連接在第一導(dǎo)電層上的半導(dǎo)體元件;以及通過(guò)焊料連接在第二導(dǎo)電層上的導(dǎo)熱底座。
此處,第一發(fā)明的特征是導(dǎo)熱底座的厚度tb對(duì)焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范圍內(nèi)。
如從上述可見(jiàn),根據(jù)本發(fā)明,導(dǎo)熱底座的厚度tb對(duì)焊料的厚度ts的比率tb/ts被規(guī)定在6.7-80的范圍內(nèi)。于是,防止溫度循環(huán)引起的焊料疲勞損傷并提高可靠性就成為可能。
此處,導(dǎo)熱底座可以由銅(Cu)、鋁(Al)或MMC(金屬基體復(fù)合物)制成。在此情況下,除了上述優(yōu)點(diǎn)外,還有可能提高冷卻效率。
此外,絕緣陶瓷層可以由氮化鋁、氧化鋁或氮化硅制成。在此情況下,由于使用了絕緣性能和強(qiáng)度優(yōu)異的絕緣陶瓷層,故除了上述優(yōu)點(diǎn)外,有可能進(jìn)一步提高可靠性。
而且,焊料可以主要由錫、鉛或銀組成。在此情況下,由于采用了機(jī)械強(qiáng)度、抗腐蝕性和導(dǎo)熱性能優(yōu)異的焊料,故除了上述優(yōu)點(diǎn)外,有可能進(jìn)一步提高可靠性。
而且,在設(shè)計(jì)的模塊式半導(dǎo)體器件中,第二發(fā)明的特征是導(dǎo)熱底座的厚度與焊料的厚度之間的相互關(guān)系滿足下列關(guān)系(1)-(5)中的一個(gè):
(1)當(dāng)導(dǎo)熱底座的厚度不小于2mm而小于4mm時(shí),焊料的厚度不小于50μm。
(2)當(dāng)導(dǎo)熱底座的厚度不小于4mm而小于6mm時(shí),焊料的厚度不小于100μm。
(3)當(dāng)導(dǎo)熱底座的厚度不小于6mm而小于8mm時(shí),焊料的厚度不小于150μm。
(4)當(dāng)導(dǎo)熱底座的厚度不小于8mm而小于9mm時(shí),焊料的厚度不小于200μm。
(5)當(dāng)導(dǎo)熱底座的厚度不小于9mm時(shí),焊料的厚度不小于250μm。
由于第二發(fā)明恰當(dāng)?shù)匾?guī)定了導(dǎo)熱底座厚度與焊料厚度的上述組合,故防止溫度循環(huán)引起的焊料疲勞損傷并提高可靠性就成為可能。
圖1典型地示出了常規(guī)模塊式半導(dǎo)體器件的示意結(jié)構(gòu);
圖2典型地示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的模塊式半導(dǎo)體器件的示意結(jié)構(gòu);
圖3示出了第一實(shí)施例中底座厚度tb對(duì)焊料的厚度ts的比率;以及
圖4示出了對(duì)于涂敷在根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的模塊式半導(dǎo)體器件上的各個(gè)焊料厚度的底座厚度tb。
下面參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[第一實(shí)施例]
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