[發(fā)明專利]促進半導體晶片釋放的方法

無效

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• 申請日: 1999-09-28
• 公開（公告）號: CN1290030A
• 公開（公告）日: 2001-04-04
• 發(fā)明（設計）人: C·T·林
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B1/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄒光新,陳景峻

1．一種從拋光墊上釋放半導體晶片的方法，包括以下步驟：

漿料施加到拋光墊；

旋轉(zhuǎn)其上有漿料的載架，同時向晶片施加壓力將其頂向有漿料的拋光墊，由此用漿料拋光晶片；

將水引入到拋光墊；

增加拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度，去除部分漿料；

在增加旋轉(zhuǎn)速度的步驟期間，減小壓力，以基本上防止進一步的拋光；以及

從拋光墊上移走晶片。

2．根據(jù)權利要求1的方法，其中旋轉(zhuǎn)拋光墊同時施加壓力的步驟包括以每分鐘約20到約100轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)拋光墊的步驟。

3．根據(jù)權利要求1的方法，其中旋轉(zhuǎn)拋光墊同時施加壓力的步驟包括在晶片和拋光墊之間施加約2到約8psi的壓力的步驟。

4．根據(jù)權利要求1的方法，其中將水引入到拋光墊的步驟包括切斷向拋光墊提供漿料的步驟。

5．根據(jù)權利要求1的方法，其中增加拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度以除去部分漿料的步驟包括將拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度增加約1．1倍到約3倍的步驟。

6．根據(jù)權利要求1的方法，其中增加拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度以除去部分漿料的步驟包括將拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度增加到每分鐘約22轉(zhuǎn)到每分鐘約300轉(zhuǎn)的步驟。

7．根據(jù)權利要求1的方法，其中減小壓力的步驟包括將壓力減小到約0到約3psi之間的步驟。

8．根據(jù)權利要求1的方法，其中減小壓力的步驟包括將壓力減小到基本上為零的步驟。

9．根據(jù)權利要求1的方法，還包括將表面活性劑引入到拋光墊以分離漿料的步驟。

10．一種從拋光墊上釋放半導體晶片的方法，包括以下步驟：

可釋放地將半導體晶片固定到載架；

漿料施加到拋光墊；

旋轉(zhuǎn)載架和晶片，同時向晶片施加壓力使其頂向有漿料的拋光墊，由此用漿料拋光晶片；

旋轉(zhuǎn)拋光墊，使?jié){料進一步拋光晶片；

將水引入到拋光墊來結束拋光；

增加晶片和拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度，去除部分漿料；

在增加旋轉(zhuǎn)速度期間，減小將晶壓壓向拋光墊的壓力，以基本上防止進一步的拋光；以及

通過提升載架從拋光墊上移走晶片。

11．根據(jù)權利要求10的方法，其中旋轉(zhuǎn)載架和晶片同時施加壓力的步驟包括以每分鐘約20到約100轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)晶片的步驟。

12．根據(jù)權利要求10的方法，其中旋轉(zhuǎn)載架和晶片同時施加壓力的步驟包括在晶片和拋光墊之間施加約2到約8psi的壓力的步驟。

13．根據(jù)權利要求10的方法，其中將水引入到拋光墊的步驟包括切斷向拋光墊提供漿料的步驟。

14．根據(jù)權利要求10的方法，其中增加晶片和拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度以除去部分漿料的步驟包括將晶片的旋轉(zhuǎn)速度增加約1．1倍到約3倍的步驟。

15．根據(jù)權利要求14的方法，其中增加晶片和拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度以除去部分漿料的步驟包括將拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度增加約1．1倍到約3倍的步驟。

16．根據(jù)權利要求10的方法，其中增加晶片和拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度以除去部分漿料的步驟包括將晶片的旋轉(zhuǎn)速度增加到每分鐘約22轉(zhuǎn)到每分鐘約300轉(zhuǎn)的步驟。

17．根據(jù)權利要求16的方法，其中增加晶片和拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度以除去部分漿料的步驟包括將拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度增加到每分鐘約22轉(zhuǎn)到每分鐘約300轉(zhuǎn)的步驟。

18．根據(jù)權利要求10的方法，其中減小壓力的步驟包括將壓力減小到約0到約3psi之間的步驟。

19．根據(jù)權利要求10的方法，其中減小壓力的步驟包括將壓力減小到基本上為零的步驟。

20．根據(jù)權利要求10的方法，還包括將表面活性劑引入到拋光墊以分離漿料的步驟。