[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 99102430.3
• 申請日: 1999-02-26
• 公開（公告）號: CN1227412A
• 公開（公告）日: 1999-09-01
• 發明（設計）人: 坪崎邦宏;增田正親;巖谷昭彥;中村篤;井村智香子;塩月敏弘
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L23/495
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．一種半導體器件，它包含：

制作在其主表面上的帶有集成電路和多個鍵合焊點的半導體芯片；

具有內引線部分和與內引線部分集成制作的外引線部分的功率線，此內引線部分具有位于對應于半導體芯片主表面的區域中的第一區和位于對應于半導體芯片主表面的區域外面的第二區；

各具有外引線部分以及第一區位于對應于半導體芯片主表面的區域中而第二區位于對應于半導體芯片主表面的區域外面的內引線部分的多個信號線；

將功率線的第一區分別電連接到鍵合焊點的多個第一鍵合金屬絲；

將信號線的第一區分別電連接到鍵合焊點的多個第二鍵合金屬絲；以及

將半導體芯片、多個信號線的內引線部分、功率線的內引線部分以及第一和第二鍵合金屬絲密封于其中的樹脂密封體；

其中功率線的內引線部分的第一區被鍵合到半導體芯片主表面的多個分立區域，而

信號線的內引線部分的第一區沿其厚度方向與半導體芯片的主表面隔開。

2．根據權利要求1的半導體器件，其中半導體芯片的主表面是一個矩形，具有一對沿第一方向延伸的長邊和一對沿垂直于第一方向的第二方向延伸的短邊；功率線的內引線部分的第一區具有沿第一方向延伸的第一部分和與第一方向成一角度而延伸的另一部分，且多個第一鍵合金屬絲被鍵合到功率線的內引線部分的第一部分。

3．根據權利要求2的半導體器件，其中多個鍵合焊點沿功率線的內引線的第一方向延伸的部分排列。

4．根據權利要求3的半導體器件，其中的功率線是電源線。

5．根據權利要求3的半導體器件，其中的功率線是參考電壓線。

6．根據權利要求1的半導體器件，其中的粘合層含有熱塑粘合劑。

7．根據權利要求2的半導體器件，其中多個分立的區域分別對應于沿功率線的第一方向延伸的部分。

8．根據權利要求2的半導體器件，其中多個分立的區域分別對應于沿功率線的第一方向延伸的部分和與功率線的第一方向成一角度而延伸的另一部分。

9．根據權利要求1的半導體器件，其中功率線的第一區具有沿半導體芯片厚度方向與半導體芯片主表面隔開得比多個鍵合于半導體芯片主表面的獨立部分更遠的部分，從而在功率線的第一區的分立部分和多個獨立部分之間形成偏移。

10．根據權利要求9的半導體器件，其中功率線的第一區的分立部分和信號線的第一區，沿半導體芯片厚度方向與半導體芯片主表面隔開的距離基本上相同。

11．一種半導體器件，它包含：

配備有多個制作在其主表面上的鍵合焊點的半導體芯片；

沿鍵合焊點排列的方向延伸且具有向半導體芯片主表面凹下的凹下部分的功率線；以及

具有位于對應于半導體芯片主表面的區域中的端部的信號線；

其中的功率線和信號線用鍵合金屬絲電連接于鍵合焊點，功率線的凹下部分用粘合層固定于半導體芯片的主表面，而信號線與半導體芯片主表面隔開。

12．根據權利要求11的半導體器件，其中功率線包括用來將電源電壓加于半導體芯片的第一功率線以及用來將參考電壓加于半導體芯片的第二功率線，且第一和第二功率線分別排列在安置鍵合焊點的相對兩側上。

13．根據權利要求11的半導體器件，其中信號線與半導體芯片主表面之間的距離大于功率線與半導體芯片主表面之間的距離。

14．根據權利要求11的半導體器件，其中功率線的凹下部分位于半導體芯片的端部之中。

15．根據權利要求11的半導體器件，其中對應于半導體芯片端部的功率線和信號線部分到半導體芯片主表面的距離不小于10μm。

16．根據權利要求11的半導體器件，其中粘合層由熱塑粘合劑制成。

17．根據權利要求11的半導體器件，其中信號線比功率線離鍵合焊點更遠，且將信號線電連接于鍵合焊點的鍵合金屬絲延伸于功率線上。

18．根據權利要求11的半導體器件，其中功率線在平行于半導體芯片主表面的平面內分別具有彎曲。