[發明專利]半導體元件裝配用基板及其制造方法和半導體器件無效
| 申請號: | 98804590.7 | 申請日: | 1998-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN1253662A | 公開(公告)日: | 2000-05-17 |
| 發明(設計)人: | 福富直樹;若島喜昭;直之進;木田明成 | 申請(專利權)人: | 日立化成工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/12 | 分類號: | H01L23/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 元件 裝配 用基板 及其 制造 方法 半導體器件 | ||
1、一種在半導體元件裝配用基板上形成凹部,把半導體元件裝配到該凹部內之后,用密封樹脂進行密封的半導體器件,其特征是:
上述半導體元件裝配用基板具備沿該基板表面和上述凹部的基板壁面配置的布線,
上述布線由下述部分構成:與在上述凹部開口一側的該基板表面上設置的外部連接端子連接的外部連接端子部分,與上述所裝配的半導體元件連接的內部連接端子部分,以及上述外部連接端子部分與上述內部連接端子部分之間的布線部分,
上述布線埋入到上述基板表面和上述凹部的基板壁面內,
上述內部連接端子部分位于上述凹部內。
2、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述凹部的基板壁面具備向該凹部的底面方向延伸的在規定傾斜角度范圍內的傾斜。
3、權利要求2所述的半導體器件,其特征是:上述凹部的基板壁面的傾斜角度處于5~40度的范圍內。
4、權利要求2所述的半導體器件,其特征是:上述凹部的基板壁面傾斜構造的高度G及其水平距離L之比L/G在1.5<L/G<10的范圍內。
5、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述凹部由凸型沖壓成型的辦法構成。
6、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述凹部形成多個臺階。
7、權利要求5所述的半導體器件,其特征是:在上述凹部內,還設有用來收容半導體元件的半導體元件收容部分,該部分是用對該凹部進一步進行锪孔加工的辦法形成的。
8、權利要求7所述的半導體器件,其特征是:上述锪孔加工后的半導體元件收容部分的深度比應該裝配的半導體元件的厚度還大。
9、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:位于該基板表面上的上述外部連接端子部分與上述凹部內的上述內部連接端子部分的臺階高度在0.05mm以上。
10、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:裝配到上述凹部內的半導體元件的端子和上述內部連接端子部分進行金屬絲鍵合連接。
11、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:面朝下地把半導體元件的端子直接連接到上述內部連接端子部分上。
12、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述布線設于除上述凹部的拐角部分之外的壁面區域上。
13、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述凹部在該基板的主平面的大體上的中心位置處形成,
在上述凹部內,把半導體元件裝配為使得對于該半導體元件裝配用基板的厚度方向,大體上變成為中央。
14、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:在上述凹部內把半導體元件偏移裝配為對于該基板的厚度方向,從中央偏移該基板的厚度的30%以內。
15、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述凹部在底面區域上具備可以收容多個元件的寬廣度的同時,還形成有布向上述多個元件的布線,在該凹部內裝配多個半導體元件和無源元件。
16、權利要求1所述的半導體器件,其特征是:上述布線是利用完全由金屬構成的,可進行拉伸加工的布線構成體形成的布線,
上述可進行拉伸加工的布線構成體具有如下的多層構造:至少含有具有構成上述布線的第1金屬層,和作為載體層起作用的第2金屬層。
17、一種具備用來裝配半導體元件的凹部的半導體元件裝配用基板,其特征是:上述半導體元件裝配用基板具備沿該基板表面和上述凹部的基板壁面配置的布線,
上述布線由下述部分構成:與在上述凹部開口一側的該基板表面上設置的外部連接端子連接的外部連接端子部分,與上述所裝配的半導體元件連接的內部連接端子部分,和上述外部連接端子部分與上述內部連接端子部分之間的布線部分,
上述布線埋入到上述基板表面和上述凹部的基板壁面內,
上述內部連接端子部分位于上述凹部內。
18、權利要求17所述的半導體元件裝配用基板,其特征是:使上述凹部的深度,比將要裝配的半導體元件的厚度小,
相對該半導體元件裝配用基板的厚度方向,從中央部分把上述凹部的底面锪孔加工成應該裝配的該半導體元件的厚度的0.5到2.5倍的范圍內的深度。
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